物料型号：
- P4C164
器件简介：
- P4C164是一款65,536位的超高速静态RAM，组织为8K x 8。这款CMOS存储器不需要时钟或刷新，并且具有相等的访问和周期时间。输入完全兼容TTL。该RAM工作于单一5V±10%的电源供应。在电池备份的情况下，即使供电电压降至2.0V，数据完整性也能得到保持。典型电流消耗为10 µA（P4C164L军用型号）。
引脚分配：
- 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ
- 28-Pin 600 mil Plastic DIP（70 & 100ns）
- 28-Pin 300 mil SOP（70 & 100ns）
- 28-Pin 300 mil Ceramic DIP
- 28-Pin 350 x 550 mil LCC
- 32-Pin 450 x 550 mil LCC
- 28-Pin CERPACK
参数特性：
- 访问时间：8ns至100ns不等，具体取决于温度等级和封装类型。
- 工作电压：单5V±10%电源供应。
- 数据保持：在2.0V供电下，典型电流为10 µA。
- 功耗：根据访问时间和温度范围，动态操作电流有所不同。
功能详解：
- 该芯片具备输出使能和双芯片使能控制功能，允许在不同模式下操作，如待机模式、读取模式和写入模式。
应用信息：
- 由于其高速访问时间和低功耗特性，P4C164适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场合。
封装信息：
- 提供多种封装选项，包括塑料DIP、陶瓷DIP、LCC、CERPACK和SOJ等，以满足不同应用的需求。
