1. 物料型号:
- P4C164
2. 器件简介:
- P4C164是一款65,536位的超高速静态RAM，以8K x 8的形式组织。这款CMOS存储器不需要时钟或刷新，并且具有相等的访问和周期时间。输入完全兼容TTL。该存储器从单一的5V±10%公差电源供电。在电池备份的情况下，即使电源电压降至2.0V，也能维持数据完整性。
3. 引脚分配:
- 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ
- 28-Pin 600 mil Plastic DIP (70 & 100ns)
- 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)
- 28-Pin 300 mil Ceramic DIP
- 28-Pin 350 x 550 mil LCC
- 32-Pin 450 x 550 mil LCC
- 28-Pin CERPACK
4. 参数特性:
- 访问时间：最快8纳秒
- 电源电压：单5V±10%
- 数据保持：2.0V供电下，典型电流为10 µA
- 工作温度：商业级0°Cto +70°C，工业级-40°C to +85°C，军用级-55°C to +125°C
5. 功能详解:
- 全CMOS，6T单元结构
- 标准引脚配置（JEDEC批准）
- 输出使能和双芯片使能控制功能
- 单5V±10%电源供电
- 具有电池备份的数据保持功能
6. 应用信息:
- P4C164适用于需要高速静态存储的系统，如高速缓存、内存扩展等。
7. 封装信息:
- 提供了多种封装选项，包括DIP、SOJ、SOP、LCC和CERPACK等。
