物料型号：
- P4C164
器件简介：
- P4C164是一款65,536位的超高速静态RAM，组织为8K x 8。这款CMOS存储器不需要时钟或刷新，并且具有相等的访问和周期时间。输入完全与TTL兼容。RAM工作电压为单5V±10%的电源供电。在电池备份的情况下，即使供电电压降至2.0V，数据完整性也能得到保持。典型情况下，从2.0V电源的电流消耗为10 µA。访问时间可快至8纳秒，大大提高了系统的运行速度。
引脚分配：
- 28-Pin 300 mil Plastic DIP, SOJ
- 28-Pin 600 mil Plastic DIP (70 & 100ns)
- 28-Pin 300 mil SOP (70 & 100ns)
- 28-Pin 300 mil Ceramic DIP
- 28-Pin 350 x 550 mil LCC
- 32-Pin 450 x 550 mil LCC
- 28-Pin CERPACK
参数特性：
- 全CMOS，6T单元
- 常见数据I/O
- 高速（相等的访问和周期时间）
- 完全TTL兼容的输入和输出
- 低功耗操作
- 输出使能和双芯片使能控制功能
- 单5V±10%电源供电
- 2.0V供电下的数据保持，典型电流为10 µA（P4C164L Military）
功能详解：
- P4C164具有高速访问能力，允许系统运行速度大幅提升。该器件在多个电压和温度等级下均有不同的封装选项。
应用信息：
- 由于其高速特性，P4C164适用于需要快速数据访问的应用场合，如高速数据处理系统。
封装信息：
- P4C164提供多种封装选项，包括不同引脚间距和材料的DIP、SOJ、SOP、LCC和CERPACK封装。
