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创作活动
序号器件名产品描述数据手册生厂商
1HYCW300-SIM06-150B下载Huayuchuang Precision Electronics Co., Ltd.
2HYG016N04LS1B类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):240A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,4...下载HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
3HYG065P03LQ1D类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):57.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.9mΩ@10V,2...下载HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
4HSS2301C类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.9A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
5HSS2308A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.3A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A;下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
6HT62783ARWZ具有额定50V/500mA驱动能力8通道P型达林顿晶体阵列下载HTCSEMI
7HT2803ARWZ八通道高电压,大电流达林顿晶体管阵列下载HTCSEMI
8HSW2N15类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
9H0505S-1WR3电源模块 DC/DC直流转直流 隔离6000Vdc 电源模块5V转5V200mA SIP-4下载MORNSUN
10HER303二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@200V;下载HL
11HER504二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):300V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.3V@5A;反向电流(Ir):10uA@300V;下载Goodwork Semiconductor Co.,Ltd.
12HY3010D下载HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.
13HC-VH-9A9W-G参考系列:VH;间距:3.96mm;插针结构:1x9P;排数:1;每排PIN数:9;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:7A;工作温度范围:-25℃...下载Huacan Tianlu Electronics
14HD30N06(AEE)类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;...下载HL
15HG1118M-AD15/TR输出类型:-;下载Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd.
16HG1118M-3315/TR输出类型:-;下载Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd.
17HX3248C -AGC下载Wuxi Hexin Semiconductor Co., Ltd.
18HG1118M-15AD/TR输出类型:-;下载Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd.
19HT67F4892CPU内核:RISC;CPU最大主频:-;程序存储容量:8KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:384Byte;GPIO端口数量:-;下载Holmate Technology Corp. (Holtek)
20HK32F031C4T6CPU内核:ARM Cortex-M0;CPU最大主频:72MHz;工作电压范围:2V~5.5V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~16MHz;程序 FL...下载Shenzhen Hangshun Integrated Circuit R&D Co.