物料型号:
- ISL6612A
- ISL6613A
器件简介:
ISL6612A和ISL6613A是专为同步整流降压转换器拓扑结构设计的高频MOSFET驱动器。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET结合使用,为先进微处理器提供完整的核电压调节解决方案。
引脚分配:
- UGATE:上管驱动输出
- PHASE:连接到上MOSFET的源极和下MOSFET的漏极
- BOOT:浮动自举供电引脚
- PVCC:为上下管驱动供电
- VCC:连接到+12V偏置电源
- LGATE:下管驱动输出
- PWM:PWM信号是驱动器的控制输入
- GND:偏置和参考地
参数特性:
- 工作频率高达2MHz
- 内部自举肖特基二极管
- 3态PWM输入,用于输出阶段关闭
- 预POR过压保护
- VCC欠压保护
- 扩展底部铜垫,增强散热
功能详解:
- 先进的自适应零拍穿保护
- 可调节的栅极电压,优化效率
- 支持高开关频率,具有3A下沉电流能力和快速上升/下降时间以及低传播延迟
应用信息:
- 适用于Intel®和AMD®微处理器的核心调节器
- 高电流DC/DC转换器
- 高频率和高效率的VRM和VRD
封装信息:
- 8Ld SOIC
- 10Ld 3x3 DFN
- 8Ld EPSOIC