物料型号为NP60N04KUG，是一款用于高电流开关应用的N沟道MOS场效应晶体管。
器件简介提到其具备175度的沟道温度等级，极低的导通电阻（最大6.1毫欧，VGS=10V，ID=30A），以及低输入电容Ciss（典型值3400皮法）。
引脚分配为1号引脚为栅极（Gate），2号引脚为漏极（Drain），3号引脚为源极（Source），4号为散热片（Fin，接漏极）。
参数特性包括绝对最大额定值和热阻，例如漏源电压（VDS）最大40V，栅源电压（VGSS）±20V，以及沟道到环境热阻（Rth(ch-A)）为83.3°C/W。
功能详解涉及电气特性，如零栅源电压漏极电流（IDSS），栅源阈值电压（VGS(th)），以及导通延时（td(on)）等。
应用信息包括用于计算机、办公设备、通信设备等。
封装信息为TO-263(MP-25ZK)。
