NP75P04YLG-E1-AY

物料型号：NP75P04YLG

器件简介： - NP75P04YLG是一款为高电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。 - 特点包括低导通电阻、逻辑电平驱动类型、内置栅极到源极的ESD保护二极管，以及专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证。

引脚分配： - 8引脚HSON封装，引脚5、6、7、8为漏极，引脚1、2、3为源极，引脚4为栅极。

参数特性： - 绝对最大额定值包括漏极到源极电压（-40V）、栅极到源极电压（+20V）、漏极电流（DC时+75A，脉冲时+225A）等。 - 热阻包括通道到外壳热阻（1.09°C/W）和通道到环境热阻（150°C/W）。

功能详解： - 电气特性包括零栅极电压漏极电流、栅极泄漏电流、栅极到源极阈值电压、正向传输导纳、导通电阻、输入电容、输出电容、反向传输电容、开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、总栅极电荷、栅极到源极电荷、栅极到漏极电荷、体二极管正向电压、反向恢复时间和反向恢复电荷。

应用信息： - 该器件适用于汽车应用，并且符合AEC-Q101标准。

封装信息： - 提供8引脚HSON封装，封装重量约为0.13克，引脚分配和封装图纸在文档中有详细说明。