- 物料型号: NP82N04PDG
- 器件简介: 该器件是为高电流开关应用设计的N-Channel MOS场效应晶体管。
- 引脚分配: 1. Gate 2. Drain 3. Source 4. Fin (Drain)
- 参数特性:
- 超低导通电阻：RDS(on)1 = 3.5 mΩ最大值（VGS = 10 V, ID = 41 A）
- 输入电容：Ciss = 6000 pF典型值
- 绝对最大额定值包括：VDSS 40V，VGSS ±20V，ID(DC) ±82A等。
- 功能详解: 提供了详细的电气特性表，包括阈值电压、导通电阻、电容、开关时间等参数。
- 应用信息: 推荐应用于计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、音视频设备、家用电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 封装信息: TO-263 (MP-25ZP)，提供了封装的尺寸和引脚功能。
