0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
RF2307

RF2307

  • 厂商:

    RFMD(威讯)

  • 封装:

  • 描述:

    RF2307 - GENERAL PURPOSE AMPLIFIER - RF Micro Devices

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
RF2307 数据手册
RF2307 4 Typical Applications • Broadband, Low Noise Gain Blocks • IF or RF Buffer Amplifiers • Driver Stage for Power Amplifiers • Final PA for Low Power Applications • Portable Battery Powered Equipment • Broadband Test Equipment GENERAL PURPOSE AMPLIFIER Product Description The RF2307 is a general purpose, low cost RF amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as an easily-cascadable 50 Ω gain block. Applications include IF and RF amplification in wireless voice and data communication products operating in frequency bands up to 3000MHz. The device is self-contained with 50 Ω input and output impedances and requires only two external DC biasing elements to operate as specified. 4 .156 .152 .017 1 .195 .191 .050 .240 .232 .056 .052 .004 MIN 5° .022 .018 .008 Optimum Technology Matching® Applied Si BJT Si Bi-CMOS ü Package Style: SOP-8 GaAs HBT SiGe HBT GaAs MESFET Si CMOS Features • DC to 3000MHz Operation • Internally matched Input and Output • 15dB Small Signal Gain • 4dB Noise Figure • 25mW Linear Output Power • Single Positive Power Supply RF IN 1 GND 2 GND 3 GND 4 8 RF OUT 7 GND 6 GND 5 GND Ordering Information RF2307 RF2307 PCBA General Purpose Amplifier Fully Assembled Evaluation Board Functional Block Diagram RF Micro Devices, Inc. 7625 Thorndike Road Greensboro, NC 27409, USA Tel (336) 664 1233 Fax (336) 664 0454 http://www.rfmd.com Rev B2 010228 4-67 GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS RF2307 Absolute Maximum Ratings Parameter Supply Current Input RF Power Operating Ambient Temperature Storage Temperature Rating 65 +10 -40 to +85 -40 to +150 Unit mA dBm °C °C Caution! ESD sensitive device. RF Micro Devices believes the furnished information is correct and accurate at the time of this printing. However, RF Micro Devices reserves the right to make changes to its products without notice. RF Micro Devices does not assume responsibility for the use of the described product(s). Parameter Specification Min. Typ. Max. DC to 3000 15.2 15.7 4
RF2307
### 物料型号 - 型号:RF2307

### 器件简介 - 描述:RF2307是一款通用型、低成本的射频放大器集成电路。该器件采用先进的砷化镓异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,设计为易于级联的50欧姆增益模块。适用于无线语音和数据通信产品的中频(IF)和射频(RF)放大,工作频段高达3000MHz。该器件具有50欧姆的内置输入和输出阻抗,仅需两个外部直流偏置元件即可按规格运行。

### 引脚分配 - Pin 1 (RF IN):射频输入引脚。此引脚未内置直流阻断,大多数应用中应使用适合操作频率的直流阻断电容器。不允许输入直流耦合,因为这会覆盖内部反馈回路并导致温度不稳定。 - Pin 2-7 (GND):接地连接。为了获得最佳性能,应保持走线物理短且立即连接到地平面。 - Pin 8 (RF OUT):射频输出和偏置引脚。通过外部串联电阻和扼流电感到Vcc来完成偏置。所选电阻用于将此引脚的直流电流设置为期望水平。在室温下,只要电流保持在20mA和65mA之间,此引脚将自偏置至3.7V。因此,电阻值由以下方程确定:还应特别注意电阻的选择,以确保部件的电流在计划的操作温度下不超过65mA。这意味着即使供应接近3.7V,始终需要在供应和此引脚之间使用电阻。由于此引脚存在直流,大多数应用中应使用适合操作频率的直流阻断电容器。偏置网络的供应侧也应良好旁路。

### 参数特性 - 工作频率:DC至3000MHz - 内部匹配输入和输出:是 - 小信号增益:15dB - 噪声系数:4dB - 线性输出功率:25mW - 单正电源供电

### 功能详解 - 应用:宽带、低噪声增益模块;中频或射频缓冲放大器;功率放大器的驱动级。 - 技术:采用Si BJT、GaAs HBT、GaAs MESFET、SiGe HBT、Si CMOS、FOE、Si Bi-CMOS等技术。

### 应用信息 - 应用领域:低功率应用的最终功率放大器、便携式电池供电设备、宽带测试设备。

### 封装信息 - 封装风格:SOP-8
RF2307 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“RF2307”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货