### 物料型号
- 型号:RF2307
### 器件简介
- 描述:RF2307是一款通用型、低成本的射频放大器集成电路。该器件采用先进的砷化镓异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,设计为易于级联的50欧姆增益模块。适用于无线语音和数据通信产品的中频(IF)和射频(RF)放大,工作频段高达3000MHz。该器件具有50欧姆的内置输入和输出阻抗,仅需两个外部直流偏置元件即可按规格运行。
### 引脚分配
- Pin 1 (RF IN):射频输入引脚。此引脚未内置直流阻断,大多数应用中应使用适合操作频率的直流阻断电容器。不允许输入直流耦合,因为这会覆盖内部反馈回路并导致温度不稳定。
- Pin 2-7 (GND):接地连接。为了获得最佳性能,应保持走线物理短且立即连接到地平面。
- Pin 8 (RF OUT):射频输出和偏置引脚。通过外部串联电阻和扼流电感到Vcc来完成偏置。所选电阻用于将此引脚的直流电流设置为期望水平。在室温下,只要电流保持在20mA和65mA之间,此引脚将自偏置至3.7V。因此,电阻值由以下方程确定:还应特别注意电阻的选择,以确保部件的电流在计划的操作温度下不超过65mA。这意味着即使供应接近3.7V,始终需要在供应和此引脚之间使用电阻。由于此引脚存在直流,大多数应用中应使用适合操作频率的直流阻断电容器。偏置网络的供应侧也应良好旁路。
### 参数特性
- 工作频率:DC至3000MHz
- 内部匹配输入和输出:是
- 小信号增益:15dB
- 噪声系数:4dB
- 线性输出功率:25mW
- 单正电源供电
### 功能详解
- 应用:宽带、低噪声增益模块;中频或射频缓冲放大器;功率放大器的驱动级。
- 技术:采用Si BJT、GaAs HBT、GaAs MESFET、SiGe HBT、Si CMOS、FOE、Si Bi-CMOS等技术。
### 应用信息
- 应用领域:低功率应用的最终功率放大器、便携式电池供电设备、宽带测试设备。
### 封装信息
- 封装风格:SOP-8