物料型号:
- 型号:RF5110G
- 封装:QFN, 16-Pin, 3 x 3
器件简介:
- RF5110G是一款由RFMD公司生产的高功率、高效率的功率放大器模块,专为GSM和GPRS应用提供高性能。该设备采用先进的GaAs HBT工艺制造,设计用于作为GSM手持数字移动通信设备和其他800MHz至950MHz频段应用中的最终RF放大器。该设备包含一个板上功率控制器,提供超过70dB的控制范围,并且可以通过模拟电压输入进行功率控制,还提供低逻辑电平待机操作。RF5110G可以与RF5111一起使用,实现双频段操作。
引脚分配:
- Pin 1: VCC1,为前置放大器阶段和中间阶段匹配提供电源。
- Pin 2: GND1,前置放大器阶段的地连接。
- Pin 3: RF IN,RF输入。
- Pin 4: GND2,驱动阶段的地连接。
- Pin 5: VCC2,为驱动阶段和中间阶段匹配提供电源。
- Pin 6: VCC2,同Pin 5。
- Pin 7: NC,未连接。
- Pin 8: 2F0,第二谐波陷波连接。
- Pin 9: RF OUT,RF输出和输出阶段的电源。
- Pin 10: RF OUT,同Pin 9。
- Pin 11: RF OUT,同Pin 9。
- Pin 12: RF OUT,同Pin 9。
- Pin 13: NC,未连接。
- Pin 14: VCC,为偏置电路提供电源。
- Pin 15: APC2,输出阶段的功率控制。
- Pin 16: APC1,驱动阶段和前置放大器的功率控制。
参数特性:
- 单2.7V至4.8V供电电压
- 在3.5V下达到+36dBm的输出功率
- 具有模拟增益控制的32dB增益
- 效率为57%
- 工作频率范围800MHz至950MHz
- 支持GSM和E-GSM
功能详解:
- RF5110G是一款三阶段设备,具有32dB的增益,在满功率时。因此,完全饱和输出所需的驱动为+3dBm。该部件仅需要一个正3V电源即可运行至满规格。功率控制通过一个单独的引脚接口提供,并且有一个单独的功率降低控制引脚。最终阶段的地通过封装背面的大垫实现。第一和第二阶段的地分别通过单独的地引脚引出,与输出隔离。这些地应该直接通过通孔连接到PCB地平面,并且不要与输出地连接,以在PCB顶层形成一个所谓的“本地地平面”。输出通过宽输出垫引出,并形成RF输出信号路径。
应用信息:
- 3V GSM手机
- 3V双频段/三频段手机
封装信息:
- 封装:QFN, 16-Pin, 3 x 3