RF5117_1

RF5117_1

  • 厂商:

    RFMD(威讯)

  • 封装:

  • 描述:

    RF5117_1 - 3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER - RF Micro Devices

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RF5117_1 数据手册
RF5117 3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER RoHS Compliant & Pb-Free Product Package Style: QFN, 16-Pin, 3 x 3 VCC 14 Features Single 3.3V Power Supply +30dBm Saturated Output Power 26dB Small Signal Gain High Linearity 1800MHz to 2800MHz Frequency Range +17dBm PO, 11G,
RF5117_1
1. 物料型号: - 型号:RF5117 - 制造商:RFMD

2. 器件简介: - RF5117是一款线性、中等功率、高效率的放大器IC,专为电池供电的WLAN应用设计,如PC卡、迷你PCI和Compact Flash应用。该器件采用先进的砷化镓异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,设计用作2.5GHz WLAN和其他扩频发射器的最终RF放大器。RF5117在3mm x 3mm、16引脚、无引脚芯片载体中提供,背面接地。

3. 引脚分配: - 1. RF IN:RF输入。需要匹配网络和直流阻断,详见评估板原理图。 - 2. BIAS GND1:第一阶段偏置电路的地,不连接。详见引脚5。 - 3. PWR SEN:PWR SEN和PWR REF引脚可以与外部反馈路径结合使用,为RF5117提供RF功率控制功能。 - 4. PWR REF:同引脚3。需要稳定的电源以保持名义偏置电流。 - 5. VREG1:同引脚5。详见引脚5。 - 6. VREG2:同引脚5。详见引脚5。 - 7. BIAS GND2:第二阶段偏置电路的地。为了获得最佳性能,用10nH电感连接到地。 - 8-16. 其他引脚未连接或为电源VCC和RF OUT。

4. 参数特性: - 供电电压:-0.5到+6.0 VDc - 功率控制电压(VREG):-0.5到3.5 V - DC供电电流:600 mA - 输入RF功率:+10 dBm - 工作环境温度:-40到+85°C - 存储温度:-40到+150°C - 湿度敏感度:JEDEC Level 2

5. 功能详解: - RF5117是双级设备,在2.4GHz到2.5GHz ISM频段具有26dB的名义增益。该放大器主要针对IEEE802.11B/11G WLAN应用,其中可用的供电电压和电流有限。RF5117仅需要3.0V的单正供电即可运行至满规格。功率控制通过两个偏置控制输入引脚(VREG1和VREG2)提供,但在大多数应用中,它们被连接在一起并用作单个控制输入。

6. 应用信息: - 适用于IEEE802.11B WLAN应用、2.5GHz ISM频段应用、便携式电池供电设备、扩频和MMDS系统。
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