### 物料型号
- 型号:2SA2093
### 器件简介
- 特点:
1. 高速开关(典型值:30ns在IC=-2A时)
2. 低饱和电压(典型值:在Ic=-1.0A,Ib=-0.1A时为-200mV)
3. 强放电能力,适用于感性负载和电容性负载
4. 与2SC5880互补
- 应用:
- 小信号低频放大器
- 高速开关
### 引脚分配
- 结构:PNP外延平面硅晶体管
### 参数特性
- 绝对最大额定值(Ta=25°C):
- 集电极-基极电压(VCBO):-60V
- 集电极-发射极电压(VCEO):-60V
- 发射极-基极电压(VEBO):-6V
- 集电极电流(DC):2.0A(脉冲)4.0A
- 功率耗散(Pc):1.0W
- 结温(Tj):150°C
- 存储温度范围(Tstg):-55至150°C
- 电气特性(Ta=25°C):
- 集电极-发射极击穿电压(BVCEO):-60V
- 集电极-基极击穿电压(BVcBo):60V
- 发射极-基极击穿电压(BVEBO):-6V
- 集电极截止电流(IcBo):-1.0A
- 发射极截止电流(IEBO):1.0A
- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-200mV至-500mV(在Ic=-1.0A,Ib=-100mA时)
- DC电流增益(hFE):120至390(在VcE=-2V,Ic=-100mA时)
- 转换频率(fr):310MHz(在VcE=-10V,IE=100mA,f=10MHz时)
- 校正输出电容(Cob):25pF(在VcB=-10V,IE=0mA,f=1MHz时)
- 导通时间(Ton):25ns(在Ic=-2.0A时)
- 存储时间(Tstg):120ns(在Ib1=-200mA,Ib2=200mA时)
- 下降时间(Tf):30ns至1ns(在Vcc=25V时)
### 功能详解
- 该晶体管适用于高速开关和小信号低频放大应用,具有高速开关能力、低饱和电压和强放电能力。
### 应用信息
- 适用于需要高速开关和低频放大的场合,如音频放大器、开关电源等。
### 封装信息
- 封装类型:TV2
- 基本订购单位:2500件