2SB1188T100R

物料型号：2SB1188、2SB1182、2SB1240 器件简介：中功率晶体管，具有低VCE(sat)，PNP硅晶体管，外延平面型结构。

引脚分配：2SB1188和2SB1182的引脚为(1)基极、(2)集电极、(3)发射极；2SB1240的引脚为(1)发射极、(2)集电极、(3)基极。

参数特性：包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、直流电流转换比、转换频率、输出电容等。

功能详解：这些晶体管适用于一般用途的电子设备，不适用于需要极高可靠性的设备，如医疗设备、运输设备等。

应用信息：ROHM公司提供的应用电路示例仅用于介绍产品的标准使用和操作，设计时需要考虑周边条件。

封装信息：封装类型包括CPT3、MPT3、ATV，具体封装代码和hFE值分类在文档中有详细说明。