2SC5866TLQ

2SC5866 Datasheet Medium power transistor (60V, 2A) l Outline Parameter Value VCEO 60V IC 2A 　 TSMT3 　 　 　 SOT-346T SC-96 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Features 1)High speed switching. 　 (tf:Typ.:35ns at IC=2A) 2)Low saturation voltage, typically 　 (Typ.:200mV at IC=1.0A, IB=100mA) 3)Storong discharge power for inductive 　 load and capacitance load. 4)Complements the 2SA2094 l Inner circuit l Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Packaging specifications Part No. Package Package size Taping code 2SC5866 TSMT3 2928 TL Reel size Tape width (mm) (mm) 180 8 Basic ordering unit.(pcs) Marking 3000 VL 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 20150730 - Rev.002 　 　 　 　　 　 2SC5866 　　　　　　　　 Datasheet l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol VCBO VCEO VEBO IC ICP*1 PD*2 Tj Tstg Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature Values Unit 60 60 6 2 4 0.5 150 -55 to +150 V V V A A W ℃ ℃ l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current BVCBO BVCEO Collector-emitter saturation voltage DC current gain BVEBO ICBO IEBO VCE(sat) hFE Transition frequency f T*3 Output capacitance Cob Turn-On time ton*3 Storage time tstg*3 Fall time tf*3 Min. Values Typ. Max. IC = 100μA 60 - - V IC = 1mA 60 - - V IE = 100μA VCB = 40V VEB = 4V IC = 1.0A, IB = 100mA VCE = 2V, IC = 100mA VCE = 10V, IE = -100mA, f = 10MHz 6 120 200 - 1.0 1.0 500 390 V μA μA mV - - 200 - MHz - 10 - pF - 50 - ns - 120 - ns - 35 - ns Conditions VCB = 10V, IE = 0A, f = 1MHz IC = 2A, IB1 = 200mA, IB2 = -200mA, VCC ⋍ 25V, RL = 12.5Ω See test circuit 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　　　 　 　 　 Unit 　　 　 　 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 hFE values are calssified as follows : rank Q R hFE 120-270 180-390 - - - *1 Pw=10ms *2 Each terminal mounted on a reference land. *3 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 　 2/6 　　 　 　 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150730 - Rev.002 　　　 2SC5866 Datasheet l Electrical characteristic curves(Ta = 25°C) Fig.1 Ground Emitter Propagation 　　　　Characteristics Fig.2 Typical Output Characteristics Fig.3 DC Current Gain vs. Collector 　　　　Current (I) Fig.4 DC Current Gain vs. Collector 　　　　Current (II) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/6 20150730 - Rev.002 　　　 2SC5866 Datasheet l Electrical characteristic curves(Ta = 25°C) Fig.5 Collector-Emitter Saturation 　　　　Voltage vs. Collector Current (I) Fig.6 Collector-Emitter Saturation 　　　　Voltage vs. Collector Current (II) Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage 　　　　vs. Collector Current Fig.8 Gain Bandwidth Product vs. 　　　　Emitter Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/6 20150730 - Rev.002 　　　 2SC5866 Datasheet l Electrical characteristic curves(Ta = 25°C) Fig.9 Collector Output Capacitance vs. 　　　 Collector-Base Voltage Fig.10 Safe Operating Area SWITCHING TIME TEST CIRCUIT 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/6 20150730 - Rev.002 　　　 2SC5866 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/6 20150730 - Rev.002