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2SD2142K Datasheet High-gain Amplifier Transistor (30V, 300mA) l Outline Parameter Value VCES 30V IC 300mA 　 SMT3 　 　 　 2SD2142K SOT-346 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Features 1)Darlington connection for a high hFE. 　(DC current gain=5000(Min.)at VCE=3V, IC=10mA) 2)High input impedance. l Inner circuit l Application High gain amplifier 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Packaging specifications Part No. Package Package size 2SD2142K SMT3 2928 Taping code T146 Reel size Tape width (mm) (mm) 180 8 Basic ordering unit.(pcs) Marking 3000 R1M 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 20150730 - Rev.002 　 　 　 　　 　 2SD2142K 　　　　　　　　 Datasheet l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Unit Collector-base voltage VCBO 30 V Collector-emitter voltage VCES 30 V Emitter-base voltage VEBO 10 V Collector current IC 300 mA Power dissipation PD 200 mW Junction temperature Tj 150 ℃ Tstg -55 to +150 ℃ Range of storage temperature l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Conditions Unit Min. Typ. Max. Collector-base breakdown voltage BVCBO IC = 10μA 30 - - V Collector-emitter breakdown voltage BVCES IC = 100μA 30 - - V Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE = 10μA 10 - - V Collector cut-off current ICBO VCB = 30V - - 100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB = 10V - - 100 nA Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 100mA, IB = 0.1mA - - 1.5 V Base-emitter turn on voltage VBE(on)*1 VCE = 5V, IC = 100mA - - 2 V 5k - - hFE2*1 VCE = 5V, IC = 100mA 10k - - 125 - - MHz - 5.4 - pF hFE1 DC current gain VCE = 5V, IC = 10mA Transition frequency f T*2 VCE = 5V, IE = -10mA, f = 100MHz Output capacitance Cob VCB = 10V, IE = 0A, f = 100kHz - *1 Pulse test *2 Characteristics of built-in transistor 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 　 2/6 　 　 　 　 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150730 - Rev.002 　　　 2SD2142K Datasheet l Electrical characteristic curves(Ta = 25°C) Fig.1 Typical output characteristics (I) Fig.2 Typical output characteristics (II) Fig.3 Base emitter 'ON' voltage 　　　　vs. collector current Fig.4 DC current gain vs. collector current (I) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/6 20150730 - Rev.002 　　　 2SD2142K Datasheet l Electrical characteristic curves(Ta = 25°C) Fig.5 DC current gain vs. collector current (II) Fig.6 Collector emitter saturation voltage 　　　　vs. collector current Fig.7 Base emitter saturation voltage 　　　　vs. collector current Fig.8 Current gain-bandwidth product 　　　　vs. collector current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/6 20150730 - Rev.002 　　　 2SD2142K Datasheet l Electrical characteristic curves(Ta = 25°C) Fig.9 Capacitance vs. reverse bias voltage Fig.10 Safe Operating Area 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/6 20150730 - Rev.002 　　　 2SD2142K Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/6 20150730 - Rev.002