BA6878EFV_11

BA6878EFV_11

  • 厂商:

    ROHM(罗姆)

  • 封装:

  • 描述:

    BA6878EFV_11 - Silicon monolithic integrated circuits - Rohm

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BA6878EFV_11 数据手册
1/4 STRUCTURE PRODUCT SERIES TYPE FUNCTION Silicon monolithic integrated circuits 3-phase motor driver for VTR capstan BA6878EFV ・180°, 3-phase full-wave pseudo-linear drive system ・Built-in current limit and thermal shut down circuits ○Absolute maximum ratings (Ta=25℃) Parameter Supply voltage Power dissipation Input voltage Maximum output current Operating temperature range Storage temperature range Junction temperature ※1 ※2 Symbol VCC VM Pd VIN IOUT Topr Tstg Tjmax Limit 7 23 1.1※ 1500 1 Unit V V W V mA ℃ ℃ ℃ 0~VCC ※2 -25~+75 -55~+150 150 70mm×70mm×1.6mm glass epoxy board. Derating in done at 8.8mW/℃ for operating above Ta=25℃. Do not, however exceed Pd, ASO and Tjmax=150℃. ○Recommended operating conditions (Ta= -25~+75℃) Parameter Supply voltage Hall amp in-phase input voltage range Symbol VCC VM VCH Min 4.5 4.5 1.5 Typ 5.0 12 Max 5.5 22.0 VCC-1.5 Unit V V V This product described in this specification isn’t judged whether it applies to COCOM regulations. Please confirm in case of export. This product isn’t designed for protection against radioactive rays. REV. B 2/4 ○Electrical characteristics (Unless otherwise specified, Ta=25℃, VCC=5V, VM=12V) Parameter CAP Drv Circuit current Hall input conversion offset Torque reference start voltage Output idling voltage Torque reference input gain Forward rotation reference voltage range Reverse rotation reference voltage range Torque limit current High output voltage Low output voltage 1 Low output voltage 2 Low-side saturation prevention off voltage FG Amp FGin- input current FG Amp Gain1 FG Amp Gain2 DC bias voltage High FG output voltage Low FG output voltage Hys Amp Hysteresis width Low hysteresis output voltage Output pull-up resistance Vhys VhysL Rhys 32 15 46 0.17 20 60 0.39 25 mV V kΩ Ihys=1mA IFGinGFG1 GFG2 VBFG VFGH VFGL -21 26 26 2.4 -43 33 33 2.5 0.3 0.2 -65 2.6 0.6 0.5 μA dB dB V V V IFG=-0.2mA, VFGH=Vcc-FGout IFG=1mA f=500Hz f=30KHz Icc Heofs ECst ECidle Gio VEDF VEDR ITL VOH VOL VOL2 Voff -6 2.35 0.64 2.8 0.89 1.20 1.10 1.05 4.5 7.4 0 2.50 0 0.77 1.00 1.55 1.55 1.50 4.7 11.0 6 2.65 10 0.90 2.2 1.11 1.90 2.00 1.95 4.9 mA mV V mV A/V V V A V V V V RNF=0.5Ω IOUT=-0.8A IOUT=0.8A, RNF=0.5Ω,EC
BA6878EFV_11
1. 物料型号: - 型号:BA6878EFV - 制造商:ROHM SEMICONDUCTOR

2. 器件简介: - 该器件是一个用于VTR卡盘电机的三相电机驱动集成电路。 - 特点包括180°三相全波准线性驱动系统,内置电流限制和热关闭电路。

3. 引脚分配: - 1号引脚:A3 - 2号引脚:Vcc(电源电压) - 3号引脚:GND(地) - 4号引脚:FGout(飞轮输出) - 5号引脚:PCI(相位电流输入) - 6号引脚:PCV(相位电流输出) - 7号引脚:EC(扭矩控制输入) - 8号引脚:ED/S(使能/待机) - 9号引脚:Hysout(滞后输出) - 10号引脚:FGin-(飞轮输入) - 11-14号引脚:N.C(无连接) - 15-24号引脚:H3-, H3+, H1-, H1+, H2-, H2+, VM(电机相位供电),A1, A2, RNF(扭矩参考设置)

4. 参数特性: - 供电电压(VCC):4.5V至5.5V - 电机相位供电电压(VM):4.5V至22V - 工作温度范围:-25℃至+75℃ - 存储温度范围:-55℃至+150℃ - 结温:150℃ - 最大输出电流:1500mA

5. 功能详解: - 电路电流(Icc):7.4mA至11.0mA - 扭矩参考起始电压(ECst):2.35V至2.65V - 输出空载电压(ECidle):0至10mV - 扭矩参考输入增益(Gio):0.64A/V至0.90A/V - 高输出电压(VOH):1.20V至1.90V - 低输出电压1(VOL):1.10V至2.00V - 低输出电压2(VOL2):1.05V至1.95V

6. 应用信息: - 该器件适用于需要三相电机驱动的应用,如VTR卡盘电机。 - 需要考虑再生电流的影响,并在电源和地之间加入电容器。 - 应确保GND引脚的最小电位,并使用适当的热设计。

7. 封装信息: - 封装类型:HTSSOP-B24 - 封装尺寸:70mm×70mm×1.6mm的玻璃环氧板。
BA6878EFV_11 价格&库存

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