BAS40-04HMT116

BAS40-04HMT116

  • 厂商:

    ROHM(罗姆)

  • 封装:

    -

  • 描述:

    BAS40-04HMT116

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  • 价格&库存
BAS40-04HMT116 数据手册
Schottky Barrier Diode Datasheet BAS40-04HM Application Dimensions (Unit : mm) Land Size Figure (Unit : mm) 1.9 Small current rectification 2.4 Features 1.0MIN 4B 1) Small mold type SOT-23 (SOT-23) Structure 2) High reliability (3) 3) Low VF ROHM : SSD3 JEDEC : SOT-23 JEITA : - Construction 0.8MIN (1) Anode (2) Cathode (1) (2) (3) Cathode/ Anode Taping Dimensions (Unit : mm) Silicon epitaxial planar type T116 Absolute Maximum Ratings (Ta= 25°C) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage VRM Duty≦0.5 40 V Reverse voltage VR Direct reverse voltage 40 V Average forward rectified current IF Direct current, per diode 120 mA Repetitive peak forward current IFRM t ≦1s, Duty≦0.5, per diode 120 mA Non-repetitive forward surge current IFSM Square wave, tp
BAS40-04HMT116
物料型号: BAS40-04HM

器件简介: 这是一个肖特基势垒二极管,具有小尺寸封装(SOT-23),高可靠性,并适用于小电流整流。

引脚分配: - 1) 阳极 (Anode) - 2) 阴极 (Cathode) - 3) 阳极 (Anode)

参数特性: - 重复峰值反向电压 (VRM): 40V - 反向电压 (VR): 40V - 平均正向整流电流 (IF): 120mA - 重复峰值正向电流 (IFRM): 120mA - 非重复正向浪涌电流 (IFSM): 0.6A - 工作结温 (T): 150°C - 存储温度 (Tstg): -55至+150°C

功能详解: - 正向电压 (VF) 在不同电流下的典型值分别为:1mA时0.38V,10mA时0.50V,40mA时1V。 - 反向电流 (IR) 在不同反向电压下的典型值分别为:30V时1mA,40V时10mA。

应用信息: 适用于小电流整流。

封装信息: SOT-23 (4B),具体尺寸数据在文档中有详细描述。
BAS40-04HMT116 价格&库存

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BAS40-04HMT116
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    • 4000+0.264314000+0.03390
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    • 30000+0.2378830000+0.03051

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