BD7966EKV

1/18 構 造 STRUCTURE 製品名 PRODUCT SERIES 形 名 TYPE 外形寸法図 PACKAGE OUTLINES 熱軽減率曲線 POWER DISSIPATION ブロック図 BLOCK DIAGRAM 応用回路図 APPLICATION 測定回路図 TEST CIRCUIT ◆ 機能 ・Ａｃｔ(2ch)/Ｌｏａｄｉｎｇ(3ch)/Ｓｌｅｄ用（Stepping ﾓｰﾀ専用）ドライバ(2ch)を搭載した１ｃｈｉｐＩＣ ・Ａｃｔ用ドライバ/Ｓｌｅｄ用ドライバの ON/OFF の独立 MUTE 制御可能 ・3.3V レギュレータ内蔵（1ch） ・パッケージは 装着面に放熱用メタルがある HTQFP64V を採用 ・サーマルシャットダウン回路を内蔵 ・地絡保護回路を内蔵 ◆ FUNCTION ・Single chip IC with drivers for Act(2ch)/Loading(3ch)/Sled(2ch)(for Stepping motor). ・Separated Mute control for turned ON/OFF at Act/Sled ・Built in 3.3V regulator (1ch) ・Adopting the package: HTQFP64V equipped with a radiating metal on the mount side ・Built in thermal-shut-down circuit. ・Built in Protection circuit for GND fault ： ： ： ： ： ： ： ： ： ： ： ： ： ： ： ： シリコンモノリシック集積回路 Silicon Monolithic Integrated Circuit カーCD,カーDVD 用パワードライバ Power Driver for car CDs, DVDs ＢＤ７９６６EKV ＢＤ７９６６EKV 図１ Figure1 図２ Figure2 図３ Figure3 図４ Figure4 図５ Figure5 REV. B 2/18 ＜ローディング部＞＜Loading block＞ ・LDCTL 端子により出力電圧の設定が可能 The LDCTL terminal is used to specify the output voltage. ・F,R の 2 線制御インターフェース 2-line control interface of F and R. ＜スレッド部＞＜Sled block＞ ・2 相のステッピングモータ専用 This Sled terminal is for 2-phase stepping motors ・リニア入力対応 Supporting linear input ・PWM 駆動方式により高効率ドライブが可能 Efficient drive by current feedback PWM drive ＜アクチュエータ部＞ ・リニア入力対応 Linier BTL drive systems ◎絶対最大定格 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter POWER MOS 電源電圧 POWER MOS power supply voltage Pre 部/Pow 部電源電圧 Pre-block and Pow-block Power Supply Voltage 許容損失 Power dissipation 動作温度範囲 Operating temperature range 保存温度範囲 Storage temperature range ＊ローム標準基板（70×70[mm],厚さ 1.6[mm]） ROHM standard board (size: 7070 [mm], thickness: 1.6 [mm]) Symbol SLRNF VCC,AVM,LDVM Pd Topr Tstg Limits １２ １５ 1.9* -40～85 -55～150 Unit Ｖ Ｖ Ｗ ℃ ℃ ◎推奨動作範範囲 RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (電源電圧に関しては、許容損失を考慮の上設定してください) (Set the power supply voltage taking allowable dissipation into considering) Parameter POWER MOS 電源電圧 POWER MOS power supply voltage Pre 部/Pow 部電源電圧 Pre-block and Pow-block Power Supply Voltage *VCC≧LDVM Symbol SLRNF VCC,AVM,LDVM MIN 4.5 4.5 TYP 8 8 MAX 10 10 Unit Ｖ Ｖ REV. B 3/18 ◎ 電 気的特性 1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (特に指定のない限り Ta=25℃, VCC=POWVCC（LD,SL）=8V ,AVM=REGVCC=5V, VC=1.65V,SLRNF=3.3Ω) (Unless otherwise noted Ta=25℃, VCC=POWVCC（LD,SL）=8V ,AVM=REGVCC=5V, VC=1.65V,SLRNF=3.3Ω) Parameter 回路電流 Circuit current 無入力時回路電流 Quiescent current MUTE 時回路電流 MUTE Circuit Current 入力不感帯幅（片側） Input dead zone (one side) 入出力ゲイン Input output gain 出力ＯＮ抵抗（上側） Output ON resistor (upper) 出力ＯＮ抵抗（下側） Output ON resistor (lower) 出力リミット電流 Output limit current ＰＷＭ周波数 PWM frequency 出力オフセット電圧 Output offset voltage 出力飽和電圧Ｈ Output saturation voltage ‘H’ 出力飽和電圧Ｌ Output saturation voltage ‘L’ 電圧利得 Voltage gain バイアス端子流入電流 Bias terminal input current 入力オフセット電圧 Input offset voltage 入力バイアス電流 Input bias current 同相入力電圧範囲 Common mode input range 最大出力ソース電流 Max output source current 最大出力シンク電流 Max output sink current スルーレート Slew rate 入力端子流入電流 Input terminal input current LDCTL 端子流出電流 LDCTL terminal output current 出力オフセット電圧 Output offset voltage 出力飽和電圧Ｈ Output saturation voltage ‘H’ 出力飽和電圧Ｌ Output saturation voltage ‘L’ 電圧利得 Voltage gain Symbol IQ1 IST1 MIN. － － TYP. 26.5 19.5 MAX. 38.4 28.3 Unit mA mA Condition VCC=REGVCC=PowVCC=8[V] VCC=REGVCC=PowVCC=8[V] 送りモータドライバ部 Sled driver block VDZSL gmSL RONUSL RONLSL ILIMSL fosc 5 0.082 （0.27） － － 0.105 （0.35） － 30 0.106 2.4 0.7 0.136 100 55 0.130 （0.43） 3.6 1.1 0.167 （0.55） － mV A/V (V/V) Ω Ω A (V) kHz SLRNF=3.3Ω IL=500mA IL=-500mA SLRNF=3.3Ω アクチュエータドライバ部 Actuator driver block VOFFT VOHFT VOLFT GVFT IBIAS -50 － － 10.0 0 0.45 0.45 11.5 75 50 0.8 0.8 13.0 120 mV V V dB μA VBIAS=2.5V IL=500mA IL=-500mA オペアンプ部 Operational amplifier block VOPOF IOPIB VOPICM ISOURCE ISINK SR -5 － 0.3 500 2 － 0 － － 800 － 0.8 +5 300 VCC-1.2 － － － mV nA Ｖ μA mＡ V/μs ローディングドライバ部 Loading driver block IINL ILDCL VOFLD VOHLD VOLLD GVLD － － -50 － － 7.5 87 － 0 1.1 0.45 9.0 130 0.5 50 1.4 0.8 10.5 μA mA mV V V dB IL=500mA IL=-500mA LDCTL=1V LDIN=5V LDCTL=5V レギュレーター Regulator REG 出力電圧 REG output voltage VREG 3.13 3.3 3.47 V IL=200mA ＊耐放射線設計はしておりません。This product is not designed for protection against radioactive rays. REV. B 4/18 ◎ 電 気的特性 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (特に指定のない限り Ta=25℃, VCC=POWVCC（LD,SL）=8V ,AVM=REGVCC=5V, VC=1.65V,SLRNF=3.3Ω) (Unless otherwise noted Ta=25℃, VCC=POWVCC（LD,SL）=8V ,AVM=REGVCC=5V, VC=1.65V,SLRNF=3.3Ω) Parameter MUTE1 入力 High レベル電圧 1 Input High level voltage 入力 Low レベル電圧 1 Input Low level voltage 入力 High レベル電流 1 Input High level current 入力 Low レベル電流 1 Input Low level current Symbol VIH1 VIL1 IIH1 IIL1 MIN. 2.0 － － -10 TYP. － － 180 0 MAX. － 0.4 270 10 Unit V V uA uA VMUTE1=5V VMUTE1=0V Condition MUTE2 入力 High レベル電圧 2 Input High level voltage 入力 Low レベル電圧 2 Input Low level voltage 入力 High レベル電流 2 Input High level current 入力 Low レベル電流 2 Input Low level current VIH2 VIL2 IIH2 IIL2 2.0 － － -10 － － 86 0 － 0.5 130 10 V V uA uA VMUTE2=5V VMUTE2=0V ＊耐放射線設計はしておりません。This product is not designed for protection against radioactive rays. REV. B 5/18 BD7966EKV LOT.No 図 1 外形寸法図 Fig.1 Package outlines REV. B 6/18 3 2.5 ローム標準基板実装 基板サイズ 70×70×1.6mmt Θja＝65.8℃/W Power dissipation : Pd(W) 2 許容損失Pd（W） 1.5 ROHM standard board (size: 7070 [mm]), thickness: 1.6 [mm]) Θja=65.8℃/W 1 0.5 0 0 25 50 75 85 100 125 150 周囲温度 Ta （℃） AMBIENT TEMPERATURE : Ta(℃) 図 ２ 熱軽減率曲線 Fig.2 Power dissipation REV. B 7/18 PowGND5 PowGND5 PowGND4 PowGND4 PowGND3 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 PowGND3 OUT2R OUT1R OUT2F OUT1F SLO2+ SLO2- SLO1+ SLO1- AVM AVM 33 SLRNF1 OPII2 49 OPOUT2 LEVEL SHIFT LEVEL SHIFT 32 PRE LOGIC FF OSC PRE LOGIC FF SLRNF1 50 OPII1 31 SLRNF2 51 OPOUT1 30 SLRNF2 52 SLIN2- 29 TEST 53 SLIN2O 28 Temp. Monitor LIMIT LIMIT MUTE1 TMON 54 SLIN1- 27 VCC 55 SLIN1O 26 MUTE1 56 PreGND 25 MUTE2 57 VC MUTE2 24 LDI3F 58 OPIN3 23 LDI3R 59 OPII3 22 LDI2F 60 OPOUT3 21 LDI2R 61 OPIN4 20 Loding Control LEVEL SHIFT Loding Control LEVEL SHIFT Loding Control LEVEL SHIFT LDI1F 62 OPII4 19 LDI1R 63 OPOUT4 18 LDVM2 64 PowGND1 REGVCC REGVCC LDVM1 REGGND REGOUT PowGND2 LDCTL1 LDCTL2 LDCTL3 LDO3R LDO2R LDO1R LDO3F LDO2F LDO1F 17 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 図 .3 ブロック図 Fig.3 Block diagram REV. B 8/18 ◎ 端 子説明 PIN DESRIPTION No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 Symbol REGVCC REGVCC REGOUT REGGND PowGND1 LDO3F LDO3R LDVM1 LDO2F LDO2R PowGND2 LDO1F LDO1R LDCTL1 LDCTL2 LDCTL3 LDVM2 LDI1R LDI1F LDI2R LDI2F LDI3R LDI3F MUTE2 MUTE1 VCC TMON TEST SLRNF2 SLRNF2 SLRNF1 SLRNF1 Description レギュレーター部 PowPMOS 用電源 Power supply for regulator PowPMOS レギュレーター部 PowPMOS 用電源 Power supply for regulator PowPMOS レギュレーター出力 Regulator output レギュレーター部 GND GND for Regulator ローディング部パワーGND1 Power GND1for Loading block ローディング部 Cｈ3 フォワード出力端子 Loading block Ch3 forward output terminal ローディング部 Cｈ3 リバース出力端子 Loading block Ch3 reverse output terminal ローディング部パワー電源 1 Power supply 1 for Loading block ローディング部 Ch2 フォワード出力端子 Loading block Ch2 forward output terminal ローディング部 Ch2 リバース出力端子 Loading block Ch2 reverse output terminal ローディング部パワーGND2 Loading block power GND2 ローディング部 Ch1 フォワード出力端子 Loading block Ch1 forward output terminal ローディング部 Ch1 リバース出力端子 Loading block Ch1 reverse output terminal ローディング部出力電圧設定端子 CH1 Loading block output voltage setting terminal CH1 ローディング部出力電圧設定端子 CH2 Loading block output voltage setting terminal CH2 ローディング部出力電圧設定端子 CH3 Loading block output voltage setting terminal CH3 ローディング部パワー電源 2 Power supply 2 for Loading block ローディング部 Ch1 リバース入力端子 Loading block Ch1 reverse input terminal ローディング部 Ch1 フォワード入力端子 Loading block Ch1 forward input terminal ローディング部 Ch2 リバース入力端子 Loading block Ch2 reverse input terminal ローディング部 Ch2 フォワード入力端子 Loading block Ch2 forward input terminal ローディング部 Cｈ3 リバース入力端子 Loading block Ch3 reverse input terminal ローディング部 Cｈ3 フォワード入力端子 Loading block Ch3 forward input terminal MUTE 端子 2 Terminal MUTE2 MUTE 端子 1 Terminal MUTE1 Pre 部電源 Power supply for Pre-block 温度モニター Temperature monitor TEST 送り部電流検出端子 2 Sled block current detection terminal 2 送り部電流検出端子 2 Sled block current detection terminal 2 送り部電流検出端子 1 Sled block current detection terminal 1 送り部電流検出端子 1 Sled block current detection terminal 1 No. 64 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 33 Symbol OPOUT4 OPII4 OPIN4 OPOUT3 OPII3 OPIN3 VC PreGND SLIN1O SLIN1SLIN2O SLIN2OPOUT1 OPII1 OPOUT2 OPII2 PowGND5 PowGND5 OUT2F OUT2R OUT1F OUT1R AVM AVM PowGND4 PowGND4 SLO2+ SLO2SLO1+ SLO1PowGND3 PowGND3 Description OP 出力 4 OP output 4 OP 反転入力端子 4 OP inverting input terminal4 OP 非反転入力端子 4 OP non-inverting input terminal4 OP 出力 3 OP Output3 OP 反転入力端子 3 OP inverting input terminal 3 OP 非反転入力端子 3 OP non-inverting input terminal3 バイアス入力端子 Bias input terminal Pre 部 GND GND for Pre-block SLIN1 前段 OP 出力 SLIN1 pre-OP output SLIN1 前段 OP 反転入力端子 SLIN1 pre-OP inverting input terminal SLIN2 前段 OP 出力 SLIN2 pre-OP output SLIN2 前段 OP 反転入力端子 SLIN2 pre-OP inverting input terminal BTL 部 Ch1 前段 OP 出力 BTL block Ch1 pre-OP output BTL 部 Ch1 前段 OP 反転入力端子 BTL block Ch1 pre-OP inverting input terminal BTL 部 Ch2 前段 OP 出力 BTL block Ch2 pre-OP output BTL 部 Ch2 前段 OP 反転入力端子 BTL block Ch2 pre-OP inverting input terminal アクチュエータ部パワーGND5 Power GND5 for Actuator block アクチュエータ部パワーGND5 Power GND5 for Actuator block BTL 部 Ch2 非反転出力端子 BTL block Ch2 non-inverted output terminal BTL 部 Ch2 反転出力端子 BTL block Ch2 inverted output terminal BTL 部 Ch1 非反転出力端子 BTL block Ch1 non-inverted output terminal BTL 部 Ch1 反転出力端子 BTL block Ch1 inverting output terminal アクチュエータ部パワー電源 Power supply for Actuator block アクチュエータ部パワー電源 Power supply for Actuator block アクチュエータ部パワーGND4 Power GND4 for Actuator block アクチュエータ部パワーGND4 Power GND4 for Actuator block 送り部 Ch2 正出力端子 Sled block Ch2 non-inverted output terminal 送り部 Ch2 負出力端子 Sled block Ch2 inverted output terminal 送り部 Ch1 正出力端子 Sled block Ch1 non-inverted output terminal 送り部 Ch1 負出力端子 Sled block Ch1 inverted output terminal 送り部パワーGND3 Power GND3 for Sending block 送り部パワーGND3 Power GND3 for Sending block REV. B 9/18 PowVCC(ACT)=5V M PowGND5 PowGND5 PowGND4 PowGND4 PowGND3 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 SLO1+ 36 35 34 PowGND3 OUT2R OUT1R OUT2F OUT1F SLO2+ SLO2- SLO1- AVM AVM 33 SLRNF1 OPII2 49 OPOUT2 LEVEL SHIFT LEVEL SHIFT 32 PRE LOGIC FF OSC PRE LOGIC FF SLRNF1 50 OPII1 31 SLRNF2 51 OPOUT1 30 SLRNF2 52 SLIN2- 29 TEST 53 SLIN2O 28 Temp. Monitor LIMIT LIMIT MUTE1 TMON 54 SLIN1- 27 VCC 55 SLIN1O 26 MUTE1 56 PreGND 25 MUTE2 VCC(Pre)=8V 57 MUTE2 24 LDI3F VC=1.65V VC 58 OPIN3 23 LDI3R 59 OPII3 22 LDI2F 60 OPOUT3 21 LDI2R 61 OPIN4 20 Loding Control LEVEL SHIFT Loding Control LEVEL SHIFT Loding Control LEVEL SHIFT LDI1F 62 OPII4 19 LDI1R 63 OPOUT4 18 LDVM2 64 PowGND1 REGVCC REGVCC LDVM1 REGGND PowGND2 REGOUT LDCTL1 LDCTL2 LDCTL3 LDO3R LDO2R LDO1R LDO3F LDO2F LDO1F 17 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 M M M REGVCC=5V 図.4 応用回路図 Fig.4 Application circuit REV. B 10/18 REV. B 11/18 ◎ 測 定回路図（全体）Test circuit (All) AM AVM SLO2+ SL UNIT SLO2SLO1+ SL UNIT SLO1PowGND3 BTL UNIT PowGND5 PowGND5 BTL UNIT PowGND4 PowGND4 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 36 35 34 PowGND3 OUT2R OUT1R OUT2F OUT1F AVM AVM 33 SLRNF1 OPII2 OP AMP UNIT OPOUT2 50 OPII1 PRE LOGIC FF OSC PRE LOGIC FF SLRNF1 31 SLRNF2 Act OP OP AMP UNIT OPOUT1 SLRNF2 52 SLIN2- 29 TEST OP AMP UNIT 53 SLIN2O 28 Temp. Monitor LIMIT LIMIT MUTE1 TMON 54 SLIN1- 27 26 MUTE1 VCC SLOP OP AMP UNIT 55 SLIN1O AM 26 PIN CHECK PIN CHECK SLRNF UNIT 51 30 SLRNF UNIT 49 LEVEL SHIFT LEVEL SHIFT 32 VCC1 MUTE 1 MUTE 2 56 56 VC 25 MUTE2 PreGND MUTE2 24 LDI3F 58 OPIN3 23 LDI3R OP AMP UNIT 59 OPII3 22 AM 22 AM 20 AM 18 AM 19 AM 21 LDI2F 60 OPOUT3 21 LDI2R 61 OPIN4 20 Loding Control LEVEL SHIFT Loding Control LEVEL SHIFT Loding Control LEVEL SHIFT LDI1F OP AMP UNIT 62 OPII4 19 LDI1R 63 OPOUT4 18 LDVM2 64 LDO2F REGVCC REGVCC REGGND LDCTL1 LDO3R LDVM1 LDO2R LDO1R LDO3F LDO1F LDCTL2 PowGND1 17 1 2 REGOUT 3 4 5 6 7 8 9 10 PowGND2 11 12 13 14 15 LDCTL3 16 VCC2 A AM REG IL B LOADING UNIT VM3 AM 8 LOADING UNIT LOADING UNIT AM 14 LD CTL1 AM 15 LD CTL2 AM 16 LD CTL3 SW8 図.5-1 測定回路図 Fig.5-1 Test circuit REV. B AM 17 REV 1 FWD 1 REV 2 FWD 2 REV 3 FWD 3 AM 23 A M2 4 A M2 5 VC 12/18 ◎ 測 定回路図（ＵＮＩＴ部）Test circuit (Unit) SW P.C. A A IP VPIN B C IPIN VP (27,28) SLOP&ActOPの＋端子はIC内部でVCと接続されている SLOP&ActOP+ terminal is connected with VC in IC. 59,62 PIN CHECK VOF(3,4) 60,63 49,51 VNFR(1,2,3,4) A B 10K 61,64 50,52 OPOUT VM (61,64) (50,52) VCC1 SW1 SW7 A A B AM (59,62) 10K C 1M C A B AMRNF (CH1,CH2) A VC VBOP SW3 SW4 SW2 C A IL+ VIN A VSLRNF RSLRNF =3.3Ω B AM (61,64) (50,52) 0.2V A SLRNF B SLRNF UNIT OP AMP UNIT + VM (44,46) (6,9,12) RL=8Ω VO(1,2) or VOLD(1,2,3) VM (43,45) (7,10,13) VM (36,38) + RL=8Ω VOSL(1,2) VM (35,37) SW6 D D A SW5 C A C B A RL D A C B A BA RL AM (36,38) 47uH D A C B AM (35,37) A ILF AM(6,9,12) (44,46) 0.2V IL+ AM(7,10,13) (43,45) 0.2V IL- ILR 0.2V 0.2V LOADING UNIT BTL UNIT SL UNIT 図.5-2 測定回路図 Fig.5-2 Test circuit REV. B 13/18 ◎ 測定回路図スイッチ表 TABLE OF MEASURE CIRCUIT SWITCHES POSITION （特に指定のない限り Ta=25℃, Vcc1（Vcc,LDVM）=8V,Vcc2(REGVCC,AVM)=5V VC=1.65V VBOP=2.5V RL=8Ω指定のないスイッチは”A”） （Unless otherwise noted Ta=25℃, Vcc1（Vcc,LDVM）=8V,Vcc2(REGVCC,AVM)=5V VC=1.65V VBOP=2.5V RL=8ΩThe switch not specified ”A”） 項目 Designation 無入力時回路電流 Quiescent current MUTE 時回路電流 Circuit current at MUTE 入力不感帯幅（片側） Input dead zone (one side) 入出力ゲイン Input output gain 出力ＯＮ抵抗（上側） Output ON resistor (upper) 出力ＯＮ抵抗（下側） Output ON resistor (lower) 出力リミット電流 Output limit current ＰＷＭ周波数 PWM frequency 出力オフセット電圧 Output offset voltage 出力飽和電圧Ｈ Output saturation voltage ‘H’ 出力飽和電圧Ｌ Output saturation voltage ‘L’ 電圧利得 Voltage gain バイアス端子流入電流 Bias terminal input current 入力オフセット電圧 Input offset voltage 入力バイアス電流 Input bias current 同相入力電圧範囲 Common mode input range 最大出力ソース電流 Max output source current 最大出力シンク電流 Max output sink current 入力端子流入電流 Input terminal input current LDCTL 端子流出電流 Terminal LDCTL output current 出力オフセット電圧 Output offset voltage 出力飽和電圧Ｈ Output saturation voltage ‘H’ 出力飽和電圧Ｌ Output saturation voltage ‘L’ 電圧利得 Voltage gain 記号 Symbol IQ1 IST1 SWITCH １ A ↓ ２ A ↓ ３ A ↓ ４ A ↓ ５ A ↓ ６ A ↓ ７ A ↓ ８ A ↓ MUTE=GND 条件 Condition 送りモータドライバ部 Sled driver block VDZSL gmSL RONUSL RONLSL ILIMSL fosc A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ B ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ B ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ D ↓ A B A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ B C B ↓ C A A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ MUTE=1.9V,VIN=1.45V IC=500mA IC=500mA アクチュエータドライバ部 Actuator driver block VOFFT VOHFT VOLFT GVFT IBIAS A ↓ ↓ ↓ ↓ A B ↓ ↓ A A B ↓ ↓ C A ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ B D ↓ B A A ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ (VM50,VM52)-VC VIN=0V,IL=0.5A VIN=0V,IL=0.5A オペアンプ部 Operational amplifier block VOPOF IOPIB VOPICM ISOURCE ISINK A B ↓ A ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ A C A ↓ ↓ A ↓ ↓ C ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ (VM61,VM64)-VC,MUTE=1.9V MUTE=1.9V,VC=1.65V,VBOP=1.65V VBOP をスイープ、VOF を測定 VBOP sweep, VOF measurement ローディングドライバ部 Loading driver block IINL ILDC1 VOFLD VOHLD VOLLD GVLD A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ B D ↓ B A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ A ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ LDCTL=5.0V MUTE=REV=FOR=0.6V MUTE=0.6V,REV=1.9V FOR=0.5V or FOR=1.9V REV=0.5V IL=500mA IL=500mA MUTE=0.6V,FOR=1.9V,REV=0.6V, LDCTL=2.0V レギュレーター Regulator REG 出力電圧 REG output voltage VREG A A A A A A A B IL=200mA REV. B 14/18 ◎ 機能説明 Functional description 1. MUTE1,2 (Pin 25,24) この端子にＨレベル（2V 以上）または、Ｌレベル（0.5V 以下）を入力することで各ドライバのＯＮ／ＯＦＦの切替ができます。 MUTE1 は ACT 部の ON/OFF を制御します。 MUTE2 は送り部の ON/OFF を制御します。 ※ MUTE1,2 はローディング部の制御は行っていません。 Each driver's ON/OFF can be switched by inputting combinations of H-level signal (higher than 2V) and L-level signal (lower than 0.5V) to this terminal. MUTE1 controls ON/OFF in the ACT block. MUTE2 controls ON/OFF in the sled block. ※ Neither MUTE1, 2 control the loading block. モード切替の内容は以下の通りです。The content of the mode switch is as follows. MUTE1,2 L H 各ドライバ Each driver MUTE_ON MUTE_OFF（ACTIVE） 2. ローディング部 Loading block 入力端子にＨレベル（2Ｖ以上）または、Ｌレベル（0.5V 以下）を入力することでローディングドライバの F/R の切替（正転・反転）ができます。 Loading driver's F/R (normal rotation and reverse) can be switched by inputting H level (higher than 2V) or L levels (lower than 0.5V) to the input terminal. モード切替の内容は以下の通りです。The content of the mode switch is as follows. LDI*F L L H H LDI*R L H L H LDO*F HiZ L H 1/2LDVM LDO*R HiZ H L 1/2LDVM MODE オープン Open フォワード Forward リバース Reverse ブレーキ Brake 出力電圧は 1/2LDVM 基準です。The output voltage is 1/2LDVM standard. 本ＩＣのＬＤ ForＲ入力には、信号時間を１０ms 以上取って下さい。特に入力信号のチャタリングにはご注意下さい。 また１０ms より速い周期のＰＷＭ信号の入力は避けて下さい。 The LD F/R input of this IC need the signal time more than 10ms. Especially, note the chattering of the input signal. Please do not input PWM signal of the cycle that is faster than that of 10ms REV. B 15/18 3. 送り部 Sled block 1）トルク指令（SLIN）／出力電流検出端子（SLRNF） Torque command（SLIN）/ Output current detection terminals（SLRNF） （トルク指令入力 SLIN） 対 （出力電流検出端子 SLRNF）は次のようになります。 The relation between the torque command input (SLIN) and the output current detection terminals input (SLRNF) is as follow: SLRNF 入力不感帯＋ (Dead zone+) 入力不感帯－ (Dead zone-) VC SLIN 入出力伝達ゲインｇｍSL および出力リミット電流ＩＬＩＭSL は SLＲＮＦ（出力電流検出抵抗）により決まります。 The input-output gain (gmSL) and the output-limit current (ILIMSL) depend on the resistance of SLRNF (output current detection resistor). 下記の表の計算式を参考にして下さい。 Refer to the formula in the following table. 2)ゲイン計算式 Gain formula (Typ.) Sled 入出力ゲイン Input-output gain 出力リミット電流 0.35 /SLRNF (A/V) 0.45 / SLRNF (A) Output-limit current 3) ＰＷＭ発振周波数 PWM oscillation frequency The PWM oscillation for driving the spindle is internal oscilating system. 送り部のＰＷＭ発振は内部で自走発振しています。発振周波数は 100kHz（Typ.）です。 The oscillating frequency is 100 kHz (Typ.). 3. サーマルシャットダウン Thermal-shutdown ＩＣを熱破壊から防ぐ為、サーマルシャットダウン（温度保護回路）を内蔵しています。必ずパッケージの許容損失内でご使用いただきたい のですが、万が一、許容損失を超えた状態で放置されますと、ジャンクション温度が上昇し、175℃（Typ.）でサーマルシャットダウンが動作 します（全てのチャンネルの出力をＯＦＦにします）。 この動作は、ＴＭＯＮ（27pin）にてモニターできます。High 出力でサーマルシャットダウン中、Low 出力でサーマルシャットダウン解除中です。 A thermal shutdown circuit (over-temperature protection circuit) is built in to prevent the IC from thermal breakdown. Use the IC under the power dissipation. If the IC is left running over the power dissipation, the package temperature rises, and the thermal-shutdown circuit works at the junction temperature of 175℃ (Typ.) (the outputs of all the channels are turned off). This operation can be detected with TMON(27pin). A thermal shutdown is operating if the High output. A thermal shutdown is no-operating if the Low output. TMON 出力 TMON output L H 状態 State T.S.D 解除中(全回路 MUTE OFF) T.S.D is no-operating.(All circuits MUTE OFF) T.S.D 中（全回路 MUTE ON） T.S.D is operating.（All circuits MUTE ON） REV. B 16/18 4. 各種ミュート Muting functions 1) VCC 降下ミュート VCC-drop muting VCC（Pin26）電圧が 3.9V（Typ.）以下になると、全てのチャンネルの出力がハイインピーダンスになります。その後、電圧が 4.1V（Ｔｙｐ） 以上になると再び動作します。 When the voltage at VCC terminal (pin 26) drops to a value lower than 3.9V (Typ.), the outputs of all the channels are turned high-impedance. When the voltages rise to more then 4.1V (Typ.), the IC starts operating again. 2) VC 降下ミュート VC-drop muting VC 端子（Pin58）電圧が 0.7V（Typ.）以下になると、BTL 部、送り部の出力がハイインピーダンスになります。VC 端子電圧は 1.0V 以上 に設定して下さい。 When the voltage at VC terminal (pin 58) drop to lower than 0.7V (Typ.) , the outputs of BTL block and Sending block are turned high-impedance. Set the VC terminal voltage to larger than 1.0V. 5. 地絡保護回路 Protection circuit for GND fault 本ＩＣは、出力ピン－ＧＮＤ間ショート（地絡）による破損を防ぐため、地絡保護回路を内蔵しています。 必ず出力ピンをＧＮＤにショートすることを避けていただきたいのですが、万が一地絡されても、内部回路により電流制限を行い、 ＩＣ破損を防ぎます。（アクチュエータ部、ローディング部のみ） Protection circuit for GND fault is contained to prevent from breaking caused by short between output pin and GND. Make sure output pin should not short to GND. However in case GND fault occurs, internal circuit prevents IC from breaking by limiting current. (Only the actuator block and the loading block) REV. B 17/18 ◎ 使用上の注意 CAUTIONS ON USE １．バイパスコンデンサ Bypass Capacitor 供給電源間には本ＩＣのピンの直近にバイパスコンデンサ（0.1μF）を接続して下さい。また、パワー電源端子の直近には電源のインピー ダンスを下げるために容量が大きく、ＥＳＲの小さいコンデンサ（10μF～）を付けて下さい。 Connect bypass capacitor (0.1F) close to the IC pin between power supplies. Also, adopting capacitor which is greater capacity and small ESR close to power supply terminal for reducing impedance. ２．天絡、地絡、出力端子間ショート Supply fault, ground fault, and short-circuit between output terminals. 出力ピン－ＶＣＣ間ショート（天絡）、出力ピン－ＧＮＤ間ショート（地絡）、及び出力ピン間ショート（負荷ショート）は避けて下さい。 また、ＩＣを基板に装着する際はＩＣの向きには十分ご注意下さい。ＩＣが破損し、場合によっては発煙する恐れがあります。 Short-circuits between output pin-VCC, output pin-GND, or output terminals (load short) must be avoided. Make sure that the ICs are installed on the board in proper directions. Mounting the ICs in improper directions may damage them or produce smoke. ３．TEST 端子 TEST terminal TEST 端子は IC 内部でプルダウンされておりますので、オープンもしくは GND とショートしてご使用下さい。 The TEST terminal is pulled down in IC, therefore use it as open or shorted with GND. ４. レギュレータ出力－GND 間に接続するコンデンサは発振防止をかねていますので、温度特性の良いものをご使用下さい。 The capacitor connected between GND and regulator output avoided oscillating, so use the good one of the temperature characteristic. ５．基本的には、IC のサブ電位以下の電圧を端子に印加することは避けてください。 Basically, please avoid impressing the voltage below the sub potential of IC to the terminal. 各ドライバの出力が負荷の逆起電力により、IC のサブ電圧(GND)以下に下がる場合は動作マージン考慮の上ご検討下さい。 Examine it after considering the operation margin when the output of each driver falls as follows sub voltage (GND) of IC by the counter electromotive force of the load. ６．絶対最大定格について About absolute maximum ratings 印加電圧及び動作温度範囲などの絶対最大定格を超えた場合、破壊の可能性があります。破壊したショートモードもしくは オープンモードなど、特定できませんので絶対最大定格を超えるような特殊モードが想定される場合、ヒューズなど、物理的な安全対策を 施すようお願い致します。 Exceeding the absolute maximum ratings, such as the applied voltage or the operating temperature range, may cause permanent device damage. As these cases cannot be limited to the broken short mode or the open mode, if a special mode where the absolute maximum ratings may be exceeded is assumed, it is recommended to take mechanical safety measures such as attaching fuses. ７．電源ラインについて About power supply lines モータの逆起電力により回生した電流の戻りが生じるため、回生電流の経路として電源-GND 間にコンデンサを入れるなどの対策をし、 容量値は電解コンデンサには低温での容量ぬけが起こることなど諸特性に問題のないことを十分にご確認のうえ、決定してください。 As a measure against the back current regenerated by a counter electromotive force of the motor, a capacitor to be used as a regenerated-current path can be installed between the power supply and GND and its capacitance value should be determined after careful check that any problems, for example, a leak capacitance of the electrolytic capacitor at low temperature, are not found in various characteristics. ８．GND 電位について About GND potential GND 端子の電位はいかなる動作状態においても、最低電位になるようにしてください。 The electric potential of the GND terminal must be kept lowest in the circuitry at any operation states. ９．熱設計について About thermal design 実際の使用状態での許容損失（Pd）を考え、十分マージンを持った熱設計を行ってください。 With consideration of the power dissipation (Pd) under conditions of actual use, a thermal design provided with an enough margin should be done. １０．強電界中での動作について About operations in a strong electric field 強電界中のご使用では、誤動作をする可能性がありますのでご注意ください。 When used in a strong electric field, note that a malfunction may occur. １１．ASO 本 IC を使用する際には、出力 Tr が絶対最大定格及び ASO を超えないように設定してください。 When using this IC, the output Tr must be set not to exceed the values specified in the absolute maximum ratings and ASO. REV. B 18/18 １２．熱遮断回路 Thermal shutdown circuit (Thermal shutdown: TSD) 本 IC は熱遮断回路（TSD 回路）を内蔵しています。チップ温度が下記の温度になるとモータへのコイル出力をオープン状態にします。 熱遮断回路は、あくまでも熱的暴走から IC を遮断する事を目的とした回路であり、IC の保護及び保証を目的とはしておりません。 よって、この回路を動作させて以降の連続使用及び動作を前提とした使用はしないでください。 This IC built in a thermal shutdown circuit (TSD circuit). When the chip temperature reaches the value shown below, the coil output to the motor will be set to open. The thermal shutdown circuit is designed only to shut off the IC from a thermal runaway and not intended to protect or guarantee the entire IC functions. Therefore, users cannot assume that the TSD circuit once activated can be used continuously in the subsequent operations. TSD ON 温度[℃]（typ.） TSD ON Temperature [C] (typ.) ヒステリシス温度[℃]（typ.） Hysteresis Temperature [C] (typ.) 175 25 １３．アース配線パターンについて About earth wiring patterns 小信号 GND と大電流 GND がある場合、大電流 GND パターンと小信号 GND パターンは分離し、パターン配線の抵抗分と大電流による 電圧変化が小信号 GND の電圧を変化させないように、セットの基準点で一点アースすることを推奨します。 外付け部品の GND 配線パターンも変動しないように注意してください。 When a small signal GND and a large current GND are provided, it is recommended that the large current GND pattern and the small signal GND pattern should be separated and grounded at a single point of the reference point of the set in order to prevent the voltage of the small signal GND from being affected by a voltage change caused by the resistance of the pattern wiring and the large current. Make sure that the GND wiring patterns of the external components will not change, too. １４．各入力端子について About each input terminal 本 IC はモノシリック IC であり、各素子間に素子分離のための P+アイソレーションと P 基盤を有しています。この P 層と各素子の N 層とで PN 接合が形成され、各種の寄生素子が構成されます。IC の構成上、寄生素子は電位関係によって必然的に形成されます。 寄生素子が動作することにより、回路動作の干渉を引き起こし、誤動作、ひいては破壊の原因となり得ます。したがって、入力端子にグランド （GND；P 基盤）より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。 また、IC に電源電圧を印加していない時、入力端子に電圧を印加しないでください。同様に電源電圧を印加している場合にも、各入力端子は 電源電圧以下の電圧もしくは電気的特性の保証値内としてください。 This IC is a monolithic IC which has a P+ isolations and P substrate to isolate elements each other. This P layer and an N layer in each element form a PN junction to construct various parasitic elements. Due to the IC structure, the parasitic elements are inevitably created by the potential relationship. Activation of the parasitic elements can cause interference between circuits and may result in a malfunction or, consequently, a fatal damage. Therefore, make sure that the IC must not be used under conditions that may activate the parasitic elements, for example, applying the lower voltage than the ground level (GND, P substrate) to the input terminals. In addition, do not apply the voltage to input terminals without applying the power supply voltage to the IC. Also while applying the power supply voltage, the voltage of each input terminal must not be over the power supply voltage, or within the guaranteed values in the electric characteristics. REV. B Notice Notes No copying or reproduction of this document, in part or in whole, is permitted without the consent of ROHM Co.,Ltd. The content specified herein is subject to change for improvement without notice. The content specified herein is for the purpose of introducing ROHM's products (hereinafter "Products"). If you wish to use any such Product, please be sure to refer to the specifications, which can be obtained from ROHM upon request. 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