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BSM180D12P3C007

BSM180D12P3C007

  • 厂商:

    ROHM(罗姆)

  • 封装:

    Module

  • 描述:

    SICPOWERMODULE

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BSM180D12P3C007 数据手册
SiC Power Module Datasheet BSM180D12P3C007 Circuit diagram Application  Motor drive 1  Inverter, Converter  Photovoltaics, wind power generation. 10 9 8(N.C) 3,4  Induction heating equipment. 5 6 7(N.C) Features 2 1) Low surge, low switching loss. *Do not connnect to NC pin. 2) High-speed switching possible. 3) Reduced temperature dependence. Construction This product is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Dimensions & Pin layout (Unit : mm) 3 10 9 8 7 6 5 4 1 2 (M2.6 FOR SELF-TAPPING SCREW) www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/10 20.Aug.2019 - Rev.002 Datasheet BSM180D12P3C007 Absolute maximum ratings (Tj = 25°C) Parameter Drain-source voltage Limit 1200 22 Conditions Symbol VDSS G-S short Gate-source voltage() Gate-source voltage() G - S Voltage (tsurge
BSM180D12P3C007
物料型号:ROHM SiC Power Module BSM180D12P3C007

器件简介: - 应用领域包括电机驱动、逆变器、转换器、光伏、风力发电和感应加热设备。 - 该产品是一个半桥模块,由ROHM的SiC-UMOSFET和SiC-SBD组成。

引脚分配:文档提供了详细的尺寸和引脚布局图,但未提供具体的引脚功能描述。

参数特性: - 绝对最大额定值包括漏源电压、栅源电压、漏电流、总功率耗散、最大结温等。 - 电气特性包括静态漏源导通电压、漏截止电流、源漏电压、栅源阈值电压等。

功能详解: - 特点包括低浪涌、低开关损耗、高速开关可能性和降低的温度依赖性。 - 提供了可接受的栅源电压波形示例。

应用信息: - 适用于高要求的应用场景,如电机驱动和逆变器等。

封装信息: - 文档提供了尺寸数据和安装扭矩等封装相关的详细信息。
BSM180D12P3C007 价格&库存

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BSM180D12P3C007
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    • 1+4427.448711+529.05202

    库存:10