DTA015TMT2L

DTA015T series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) l Outline Parameter VCEO Value IC -100mA R1 100kΩ 　 　 VMT3 EMT3F 　 　 -50V DTA015TM (SC-105AA) l Features 1) Built-In Biasing Resistor 2) Built-in bias resistors enable the configuration of 　an inverter circuit without connecting external 　input resistors (see inner circuit) . 3) The bias resistors consist of thin-film resistors 　with complete isolation to allow negative biasing 　of the input. They also have the advantage of 　completely eliminating parasitic effects. 4) Only the on/off conditions need to be set 　for operation, making the circuit design easy. 5) Complementary NPN Types: DTC015T series 6) Lead Free/RoHS Compliant. UMT3F 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 DTA015TUB (SC-85) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Application Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit, B: BASE C: COLLECTOR E: EMITTER Driver circuit 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Packaging specifications Package Package size Taping code DTA015TM VMT3 1212 T2L 180 DTA015TEB DTA015TUB EMT3F UMT3F 1616 2021 TL TL 180 180 Part No. DTA015TEB (SC-89) Basic ordering unit.(pcs) Marking 8 8000 51 8 8 3000 3000 51 51 Reel size Tape width (mm) (mm) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 20121023 - Rev.001 　 DTA015T series 　　　　　　　　 Datasheet l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Unit Collector-base voltage VCBO -50 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -5 V IC -100 mA Collector current DTA015TM Power dissipation 150 PD*1 DTA015TEB 150 DTA015TUB mW 200 Junction temperature Range of storage temperature Tj 150 ℃ Tstg -55 to +150 ℃ l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Collector-base breakdown voltage BVCBO IC = -50μA -50 - - V Collector-emitter breakdown voltage BVCEO IC = -1mA -50 - - V Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE = -50μA -5 - - V Collector cut-off current ICBO VCB = -50V - - -0.5 μA Emitter cut-off current IEBO VEB = -4V - - -0.5 μA VCE(sat) IC / IB = -5mA / -0.25mA - -0.05 -0.25 V DC current gain hFE VCE = -10V, IC = -5mA 100 - 600 - Input resistance R1 70 100 130 kΩ Transition frequency f T*2 - 250 - MHz Collector-emitter saturation voltage VCE = -10V, IE = 5mA, f = 100MHz *1 Each terminal mounted on a reference footprint *2 Characteristics of built-in transistor 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 　 2/6 　　 　 　 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20121023 - Rev.001 DTA015T series 　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves (Ta =25°C) Fig.1 Grounded emitter propagation characteristics Fig.2 Grounded emitter output characteristics Fig.3 DC Current gain vs. Collector Current Fig.4 Collector-emitter saturation voltage vs. Collector Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/6 20121023 - Rev.001 DTA015T series 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/6 20121023 - Rev.001 DTA015T series 　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/6 20121023 - Rev.001 DTA015T series 　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/6 20121023 - Rev.001