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DTA125T series Datasheet PNP -100mA -50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) l Outline Parameter VCEO Value IC -100mA R1 200kΩ SMT3 　 or -50V 　 DTA125TUA SOT-323(SC-70) DTA125TKA SOT-346(SC-59) e N co ew m m D es en ig de ns d f 　 UMT3 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Features 1) Built-In Biasing Resistor 2) Built-in bias resistors enable the configuration of 　an inverter circuit without connecting external 　input resistors (see inner circuit) . 3) The bias resistors consist of thin-film resistors 　with complete isolation to allow negative biasing 　of the input. They also have the advantage of 　completely eliminating parasitic effects. 4) Only the on/off conditions need to be set 　for operation, making the circuit design easy. 5) Complementary NPN Types: DTC125T series 6) Lead Free/RoHS Compliant. l Inner circuit B: BASE C: COLLECTOR E: EMITTER R l Application Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit, ot Driver circuit 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 N l Packaging specifications Part No. DTA125TUA DTA125TKA Package Package size Taping code UMT3 SMT3 2021 2928 T106 T146 Reel size Tape width (mm) (mm) 180 180 8 8 Basic ordering unit.(pcs) Marking 3000 3000 9A 9A 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/5 20121023 - Rev.001 　 DTA125T series 　　　　　　　　 Datasheet l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Symbol Values Unit Collector-base voltage VCBO -50 V Collector-emitter voltage VCEO -50 V Emitter-base voltage VEBO -5 V IC Collector current DTA125TUA -100 mA 200 PD*1 e N co ew m m D es en ig de ns d f Power dissipation or Parameter DTA125TKA Junction temperature Range of storage temperature mW 200 Tj 150 ℃ Tstg -55 to +150 ℃ l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. BVCBO IC = -50μA -50 - - V Collector-emitter breakdown voltage BVCEO IC = -1mA -50 - - V Emitter-base breakdown voltage BVEBO IE = -50μA -5 - - V Collector cut-off current ICBO VCB = -50V - - -0.5 μA Emitter cut-off current IEBO VEB = -4V - - -0.5 μA IC / IB = -0.5mA / -0.05mA - - -0.3 V 100 250 600 - 140 200 260 kΩ - 250 - MHz R Collector-base breakdown voltage Collector-emitter saturation voltage ot DC current gain N Input resistance Transition frequency VCE(sat) hFE VCE = -5V, IC = -1mA R1 f T*2 - VCE = -10V, IE = 5mA, f = 100MHz *1 Each terminal mounted on a reference footprint *2 Characteristics of built-in transistor 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 　 2/5 　　 　 　 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20121023 - Rev.001 DTA125T series 　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves (Ta =25°C) Fig.2 Grounded emitter output characteristics e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1 Grounded emitter propagation characteristics Fig.4 Collector-emitter saturation voltage vs. Collector Current N ot R Fig.3 DC Current gain vs. Collector Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/5 20121023 - Rev.001 DTA125T series 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/5 20121023 - Rev.001 DTA125T series 　 　　　　　　　　 Datasheet N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/5 20121023 - Rev.001 N R e N co ew m m D es en ig de ns d f ot or