DTC363TKT146

厂商：
ROHM(罗姆)
封装：
SOT346
描述：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

数据手册：

下载DTC363TKT146.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

DTC363TKT146 数据手册

Transistors Digital transistors (built-in resistor) DTC363TK / DTC363TS Features In addition to the features of regular digital transistors, 1) Low VCE(sat) makes these transistors optimal for muting circuits. VCE(sat) = 40mV (Typ.) (IC / IB = 50mA / 2.5mA) 2) They can be used at high current (IC = 600mA). External dimensions (Units: mm) Structure NPN digital transistor (Built-in resistor type) Equivalent circuit (96-352-C363T) 444 Transistors DTC363TK / DTC363TS FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C) FElectrical characteristics (Ta = 25_C) FPackaging specifications FRon measurement circuit 445 Transistors Electrical characteristic curves 446 DTC363TK / DTC363TS

下载 PDF

DTC363TKT146

1. 物料型号：DTC363TK 和 DTC363TS 2. 器件简介：这些是带有内置电阻的数字晶体管，具有低VCE(sat)，适合用于静音电路，并且可以在高电流（IC = 600mA）下使用。 3. 引脚分配： - DTC363TK：发射极（Emitter）、基极（Base）、集电极（Collector） - DTC363TS：发射极、集电极、基极 4. 参数特性： - 绝对最大额定值包括集电极-基极电压（VCBO）、集电极-发射极电压（VCEO）、发射极-基极电压（VEBO）、集电极电流（Ic）、集电极功耗（Pc）、结温（Tj）和存储温度（Tstg）。 - 电气特性包括集电极-基极击穿电压（BVcBO）、集电极-发射极击穿电压（BVCEO）、发射极-基极击穿电压（BVEBO）、集电极截止电流（IcBO）、发射极截止电流（IEBO）、集电极-发射极饱和电压（VcE(sat)）、直流电流传输比（hFE）、输入电阻（R1）和转换频率（fr）。 5. 功能详解：文档提供了电气特性曲线图，包括直流电流增益与集电极电流的关系、集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系、"ON"电阻与输入电压的关系。 6. 应用信息：这些晶体管适用于需要低VCE(sat)的静音电路和高电流应用。 7. 封装信息：提供了SMT3和SPT封装类型的详细信息，包括包装类型、代码、基本订购单位和部件编号。

DTC363TKT146 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“DTC363TKT146”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货

免费人工找货

搜索历史

DTC363TKT146

相关技术文章