FMY1AT148

EMY1 / UMY1N / FMY1A Datasheet Emitter common (dual transistors) l Outline Parameter VCEO Value -50V IC -150mA 　 　 SOT-553 SOT-353 　 　 EMY1 (EMT5) Parameter VCEO IC Value 50V 150mA UMY1N (UMT5) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 SOT-25 　 　 　 　 　 　 FMY1A (SMT5) l Features 1) Included a 2SA1037AK and a 2SC2412K 　　 transistor in a EMT, UMT or SMT package. 2)Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 　 automatic mounting machines. 3) PNP and NPN transistors have common emitters. 4) Mounting cost and area can be cut in half. l Inner circuit EMY1 / UMY1N FMY1A l Application GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER 　 　 　 l Packaging specifications 　 　 　 Basic ordering unit.(pcs) Marking 8 8000 Y1 180 8 3000 Y1 180 8 3000 Y1 Part No. Package Package size Taping code Reel size Tape width (mm) (mm) EMY1 SOT-553 (EMT5) 1616 T2R 180 UMY1N SOT-353 (UMT5) 2021 TR FMY1A SOT-25 (SMT5) 2928 T148 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150825 - Rev.003 EMY1 / UMY1N / FMY1A Datasheet l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current EMY1/ UMY1N Power dissipation FMY1A Junction temperature Range of storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC PD*1 *2 PD*1 *3 Tj Tstg Tr1(PNP) Tr2(NPN) Unit -60 60 V -50 50 V -6 7 V -150 150 mA 150 mW/Total 300 mW/Total 150 ℃ -55 to +150 ℃ l Electrical characteristics (Ta = 25°C) IC = -50μA Min. -60 Values Typ. - Max. - BVCEO IC = -1mA -50 - - V BVEBO ICBO IEBO VCE(sat) hFE IE = -50μA VCB = -60V VEB = -6V IC = -50mA, IB = -5mA VCE = -6V, IC = -1mA VCE = -12V, IE = 2mA, f = 100MHz VCB = -12V, IE = 0mA, f = 1MHz -6 120 - -100 -100 -500 560 V nA nA mV - - 140 - MHz - 4.0 5.0 pF Values Typ. - Max. - Parameter Symbol Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current BVCBO Collector-emitter saturation voltage DC current gain Transition frequency fT Output capacitance Cob Conditions Unit V l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Collector-base breakdown voltage Collector-emitter breakdown voltage Emitter-base breakdown voltage Collector cut-off current Emitter cut-off current BVCBO IC = 50μA Min. 60 BVCEO IC = 1mA 50 - - V 7 120 - 100 100 400 560 V nA nA V - - 180 - MHz - 2.0 3.5 pF BVEBO ICBO IEBO VCE(sat) hFE IE = 50μA VCB = 60V VEB = 7V Collector-emitter saturation voltage IC = 50mA, IB = 5mA DC current gain VCE = 6V, IC = 1mA VCE = 12V, IE = -2mA, fT Transition frequency f = 100MHz VCB = 12V, IE = 0A, Cob Output capacitance f = 1MHz *1 Each terminal mounted on a referenve land. *2 120mW per element must not be exceeded. *3 200mW per element must not be exceeded. www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 Unit V 20150825 - Rev.003 　　　 EMY1 / UMY1N / FMY1A Datasheet l Electrical characteristic curves(T a=25°C) Fig.1 Ground Emitter Propagation 　　　　Characteristics Fig.2 Grounded Emitter Output 　　　　Characteristics Fig.3 DC Current Gain vs. Collector 　　　　Current (I) Fig.4 DC Current Gain vs. Collector 　　　　Current (lI) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20150825 - Rev.003 　　　 EMY1 / UMY1N / FMY1A Datasheet l Electrical characteristic curves(T a=25°C) Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage 　　　　vs. Collector Current(l) Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage 　　　　vs. Collector Current(ll) Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage 　　　　vs. Collector Current (I) Fig.8 Gain Bandwith Product vs. 　　　　 Emitter Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20150825 - Rev.003 　　　 EMY1 / UMY1N / FMY1A Datasheet l Electrical characteristic curves(T a=25°C) Fig.9 Collector Output Capacitance vs. 　　　　ollector-Base Voltage 　　　　　Emitter Input Capacitance vs. 　　　　　Emitter-Base Voltage Fig.10 Safe Operating Area Fig.11 Safe Operating Area Fig.12 Safe Operating Area 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20150825 - Rev.003 　　　 EMY1 / UMY1N / FMY1A Datasheet l Electrical characteristic curves(T a=25°C) Fig.13 Ground Emitter Propagation 　　　　Characteristics Fig.14 Grounded Emitter Output 　　　　Characteristics Fig.15 DC Current Gain vs. Collector 　　　　Current (I) Fig.16 DC Current Gain vs. Collector 　　　　Current (lI) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20150825 - Rev.003 　　　 EMY1 / UMY1N / FMY1A Datasheet l Electrical characteristic curves (Ta = 25°C) Fig.17 Collector-Emitter Saturation Voltage 　　　　vs. Collector Current(l) Fig.18 Collector-Emitter Saturation Voltage 　　　　vs. Collector Current(ll) Fig.19 Base-Emitter Saturation Voltage 　　　　vs. Collector Current (I) Fig.20 Gain Bandwith Product vs. 　　　　 Emitter Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20150825 - Rev.003 　　　 EMY1 / UMY1N / FMY1A Datasheet l Electrical characteristic curves(T a = 25°C) Fig.21 Collector Output Capacitance vs. 　　　　ollector-Base Voltage 　　　　　Emitter Input Capacitance vs. 　　　　　Emitter-Base Voltage Fig.22 Safe Operating Area Fig.23 Safe Operating Area Fig.24 Safe Operating Area 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. 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