物料型号：GNP1070TC-Z
器件简介：这是一款650V增强型氮化镓场效应晶体管(FET)，具有70mΩ的导通电阻和5.2nC的栅极电荷。
引脚分配：该器件采用DFN8080K封装，共有8个引脚，其中(1)和(2)为源极，(3)为Kelvin源极，(4)为栅极，(5)、(6)、(7)和(8)为漏极。
参数特性：
- 导通电阻(RDS(on))典型值为70mΩ
- 栅极电荷(QG)为5.2nC
- 在400V时的输出电荷(Qoss)为44nC
- 反向传输电荷(Qrr)为0nC
功能详解：该器件适用于高开关频率转换器和高密度转换器。
应用信息：适用于高开关频率转换器和高密度转换器。
封装信息：采用DFN8080K封装，提供卷带包装，卷径330mm，胶带宽度16mm，基本订购单位为3500件，胶带编码为E2，标记为GNP1070TC。
绝对最大额定值和电气特性表格提供了详细的工作条件和参数范围，包括连续漏源电流、脉冲漏源电流、漏源电压、栅源电压、功耗、结温等。
热阻包括结到环境的热阻和结到封装的热阻，以及焊接温度。
此外，数据手册还包含了电气特性曲线、测量电路和波形图，以及使用ROHM产品时的注意事项和警告。
