MMBZ10VALYFHT116

物料型号：MMBZ10VALYFH

器件简介： - 该器件是一个瞬态电压抑制二极管，用于ESD（静电放电）保护。 - 它具有高可靠性和小尺寸封装的特点。 - 内部电路为硅外延平面结构。

引脚分配： - 引脚1：阴极（Cathode） - 引脚2：阳极（Anode） - 引脚3：阴极（Cathode）

参数特性： - 绝对最大额定值： - 峰值脉冲功率：24W（MMBZ5V6ALY至MMBZ10VALY），40W（MMBZ12VALY至MMBZ36VALY） - 结温：150℃ - 存储温度：-65℃至150℃ - 功率耗散：225mW（在玻璃环氧基板上），300mW（在氧化铝基板上） - ESD能力：空气30kV，接触30kV，机器模型2kV - 特性（Ta = 25℃）： - 齐纳电压：9.50V至10.50V - 反向电压：6.5V - 反向电流：0.02mA（在6.5V反向电压下） - 正向电压：0.9V（在10mA电流下） - 峰值脉冲电流：1.70A - 钳位电压：14.2V - 端子间电容：105pF（在0V反向电压下）

功能详解： - 该二极管设计用于保护电子设备免受静电放电的损害。 - 它能够在反向电压下保持高阻态，直到达到齐纳电压，然后导通并限制电压，从而保护电路。

应用信息： - 主要应用于ESD保护。

封装信息： - 封装类型：SOT-23 - 封装代码：SSD3 - 包装规格：压花带 - 卷轴尺寸：180mm - 带子宽度：8mm - 数量：3000pcs - 带码：T116 - 标记：D1T