物料型号：MMBZ10VALYFH
器件简介：
- 该器件是一个瞬态电压抑制二极管，用于ESD（静电放电）保护。
- 它具有高可靠性和小尺寸封装的特点。
- 内部电路为硅外延平面结构。
引脚分配：
- 引脚1：阴极（Cathode）
- 引脚2：阳极（Anode）
- 引脚3：阴极（Cathode）
参数特性：
- 绝对最大额定值：
- 峰值脉冲功率：24W（MMBZ5V6ALY至MMBZ10VALY），40W（MMBZ12VALY至MMBZ36VALY）
- 结温：150℃
- 存储温度：-65℃至150℃
- 功率耗散：225mW（在玻璃环氧基板上），300mW（在氧化铝基板上）
- ESD能力：空气30kV，接触30kV，机器模型2kV
- 特性（Ta = 25℃）：
- 齐纳电压：9.50V至10.50V
- 反向电压：6.5V
- 反向电流：0.02mA（在6.5V反向电压下）
- 正向电压：0.9V（在10mA电流下）
- 峰值脉冲电流：1.70A
- 钳位电压：14.2V
- 端子间电容：105pF（在0V反向电压下）
功能详解：
- 该二极管设计用于保护电子设备免受静电放电的损害。
- 它能够在反向电压下保持高阻态，直到达到齐纳电压，然后导通并限制电压，从而保护电路。
应用信息：
- 主要应用于ESD保护。
封装信息：
- 封装类型：SOT-23
- 封装代码：SSD3
- 包装规格：压花带
- 卷轴尺寸：180mm
- 带子宽度：8mm
- 数量：3000pcs
- 带码：T116
- 标记：D1T
