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MMBZ12VALYFHT116

MMBZ12VALYFHT116

  • 厂商:

    ROHM(罗姆)

  • 封装:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 描述:

    17V 夹子 2.35A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOT-23

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MMBZ12VALYFHT116 数据手册
MMBZ12VALYFHT116
物料型号:MMBZ12VALYFH

器件简介: - 该器件是一款瞬态电压抑制二极管,具备高可靠性和小尺寸封装的特点。 - 它通过了AEC-Q101认证,适用于汽车应用。 - 内部电路为硅外延平面结构。

引脚分配: - 引脚1:阴极(Cathode) - 引脚2:阳极(Anode) - 引脚3:阴极(Cathode)

参数特性: - 反向工作电压(VRWM):8.5V - 反向漏电流(IR):在8.5V下小于0.005μA - 正向电压(VF):在10mA下为0.9V - 峰值脉冲电流(IPP):在10/1000us下为2.35A - 钳位电压(VCL):在2.35A下为17V - 极间电容(Ct):在0V下为85pF

功能详解: - 该二极管主要用于ESD(静电放电)保护,能够承受高达30kV的接触放电和8kV的人体模式放电。 - 它还具有对机器模型和人体模型的ESD防护能力。

应用信息: - 适用于需要ESD保护的电子设备,例如汽车电子系统。

封装信息: - 封装类型:SOT-23 - 封装代码:SSD3 - 包装规格:采用压花带包装,卷径为180mm,带宽为8mm,每卷3000个器件。

绝对最大额定值: - 峰值脉冲功率(Ppp):在10/1000us下,对于不同型号的产品有不同的功率限制。 - 结温(T):最高150℃ - 存储温度(Tsg):-65℃至150℃ - 功耗(PD):在玻璃环氧基板上最高225mW,在氧化铝基板上最高300mW

特性曲线: - 正向电压-电流特性曲线,反向电压-电流特性曲线,以及功耗-环境温度特性曲线。

尺寸信息: - 详细列出了SOT-23封装的尺寸参数,包括平均值和最大值。

注意事项: - 文档中还包含了使用ROHM产品时的注意事项,包括在特定应用中的咨询要求、安装保护电路、避免在特殊环境下使用产品、静电放电防护、存储和运输条件、产品标签使用、处置和知识产权等方面的说明。
MMBZ12VALYFHT116 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“MMBZ12VALYFHT116”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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MMBZ12VALYFHT116
    •  国内价格 香港价格
    • 1+3.613321+0.43218
    • 10+2.7120410+0.32438
    • 50+1.7206350+0.20580
    • 100+1.26180100+0.15092
    • 500+0.81116500+0.09702
    • 1000+0.721031000+0.08624
    • 2000+0.680062000+0.08134
    • 4000+0.671874000+0.08036

    库存:3000