MP6K13TCR

物料型号：MP6K13

器件简介：MP6K13是一款4V驱动的N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高功率封装（MPT6）和低电压驱动的特点。

引脚分配：文档中提供了引脚分配的图形，但未提供具体的引脚名称。通常，N沟道MOSFET会有源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

参数特性： - 漏源电压（VDss）：30V - 栅源电压（VGss）：20V - 导通电阻（RDS(on)）：在不同条件下，最小值为22mΩ，典型值为31mΩ，最大值为49mΩ - 栅源漏电流（IGss）：在20V栅源电压下，最大为10μA - 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：最小值为30V

功能详解：MP6K13适用于开关应用，具有低导通电阻和高功率封装，适合在需要低电压驱动的场合使用。

应用信息：主要应用于开关领域。

封装信息：采用MPT6封装，基本订购单位为1000件，采用胶带包装。