QH8MA3TCR

QH8MA3 　　30V Nch+Pch Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline Symbol VDSS RDS(on)(Max.) ID PD Tr1:Nch Tr2:Pch 30V -30V 29mΩ 48mΩ ±7.0A ±5.5A 2.5W 　 　 　 　 　 　 TSMT8 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Features 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Packaging specifications Packing l Application Reel size (mm) Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) ,unless otherwise specified. Value Parameter Symbol Tr1:Nch Tr2:Pch VDSS Drain - Source voltage 30 -30 ID*1 Continuous drain current ±7.0 ±5.5 *2 ID, pulse Pulsed drain current ±18 ±18 VGSS Gate - Source voltage ±20 ±20 EAS*4 Avalanche energy, single pulse 1.8 1.1 *4 IAS Avalanche current 5.0 -4.0 PD*1 2.5 total *3 PD Power dissipation 1.5 PD*3 element 1.25 Tj Junction temperature 150 Tstg Range of storage temperature -55 to +150 Embossed Tape 180 8 3000 TR MA3 Unit V A A V mJ A W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/19 20150730 - Rev.002 　 　 　 　 　 　　 　 QH8MA3 　　　　　　　　 Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Thermal resistance Parameter Symbol Values Min. Typ. Max. - 83.3 - RthJA*3 Thermal resistance, junction - ambient Unit l Electrical characteristics (T a = 25°C) , unless otherwise specified Parameter Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient Symbol Type V(BR)DSS Min. Typ. Max. Tr1 VGS = 0V, ID = 1mA 30 - - Tr2 VGS = 0V, ID = -1mA -30 - - ID = 1mA, referenced to 25℃ - 21 - 　　 ΔTj 　 　 Tr2 ID = -1mA, referenced to 25℃ - -22 - Tr1 VDS = 30V, VGS = 0V - - 1 Tr2 VDS = -30V, VGS = 0V - - -1 Tr1 VDS = 0V, VGS = ±20V - - ±100 Tr2 VDS = 0V, VGS = ±20V - - ±100 Tr1 VDS = VGS, ID = 1mA 1.0 - 2.5 Tr2 VDS = VGS, ID = -1mA -1.0 - -2.5 IDSS Gate - Source leakage current IGSS Gate threshold voltage VGS(th) ID = 1mA, referenced to 25℃ - -3 - 　　 ΔTj 　 　 Tr2 ID = -1mA, referenced to 25℃ - 2.9 - VGS = 10V, ID = 7.0A - 22 29 VGS = 4.5V, ID = 5.0A - 35 46 VGS = -10V, ID = -5.5A - 37 48 VGS = -4.5V, ID = -4.0A - 55 72 Tr1 VDS = 5V, ID = 5A 2.7 - - Tr2 VDS = -5V, ID = -4A 3.3 - - RDS(on)*5 Tr2 Transconductance gfs*5 Unit V mV/℃ μA nA V 　ΔVGS(th) 　 Tr1 Tr1 Static drain - source on - state resistance Values 　ΔV(BR)DSS　 Tr1 Zero gate voltage drain current Gate threshold voltage temperature coefficient Conditions mV/℃ mΩ S *1 Pw ≦ 1s, Limited only by maximum temperature allowed. *2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1% *3 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD *4 Tr1: L ⋍ 100μH, V DD = 15V, RG = 25Ω, STARTING Tch = 25℃ Fig.3-1,3-2 Tr2: L ⋍ 100μH, V DD = -15V, RG = 25Ω, STARTING Tch = 25℃ Fig.6-1,6-2 *5 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. 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A ISP*2 VSD*5 Unit -1.0 Ta = 25℃ VGS = 0V, IS = -1A 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Values Min. Typ. 4/19 　 - - -18 - - -1.2 V 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　 　　　　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　 　　　　dissipation 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction 　Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction 　Temperature Fig.10 Tranceconductance 　vs. Drain Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.14 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(III) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.18 Switching Characteristics Fig.19 Dynamic Input Characteristics Fig.20 Source Current vs. Source Drain 　Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　　　　 　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　 　　　　dissipation 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction 　Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 12/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction 　Temperature Fig.10 Tranceconductance 　vs. Drain Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 13/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 14/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.14 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(III) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 15/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.18 Switching Characteristics Fig.19 Dynamic Input Characteristics Fig.20 Source Current vs. Source Drain 　Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 16/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.1-2 Switching Waveforms Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit Fig.3-2 Avalanche Waveform 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 17/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.4-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.4-2 Switching Waveforms Fig.5-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.5-2 Gate Charge Waveform Fig.6-1 Avalanche Measurement Circuit Fig.6-2 Avalanche Waveform l Notice This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design ESD protection circuit. 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 18/19 20150730 - Rev.002 QH8MA3 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 19/19 20150730 - Rev.002