QS6J1TR

- 物料型号：QS6J1 - 器件简介：该器件是ROHM公司生产的TSMT6系列中的一个产品，具体为硅P沟道MOSFET，适用于开关应用。 - 引脚分配： - Tr1 GATE - Tr2 SOURCE - Tr2 GATE - Tr2 DRAIN - Tr1 SOURCE - Tr1 DRAIN 其中，“J01”表示QS6J1型号。 - 参数特性：包括但不限于： - 栅源漏电流（IGSS）：±10μA - 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：-20V - 零栅压漏电流（Ipss）：-1μA - 栅阈值电压（VGS(th)）：-0.7V 至 -2.0V - 静态漏源导通电阻（RDS(on)）：脉冲条件下，范围在155mΩ至215mΩ - 输入电容（Ciss）：270pF - 输出电容（Coss）：40pF - 反向传输电容（Crss）：35pF - 功能详解：文档中提供了详细的电气特性表，包括栅源漏电流、漏源击穿电压、栅阈值电压、导通电阻、电容参数等，以及开关时间和栅极电荷的测量电路和波形图。 - 应用信息：适用于开关应用。 - 封装信息：文档中未明确提供封装信息，但根据型号TSMT6，可以推测可能是表面贴装技术（SMT）的一种封装形式。