QS8J13TR

QS8J13 　　-12V Pch+Pch Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline 　 　 　 　 　 　 TSMT8 VDSS -12V RDS(on)(Max.) 22mΩ ID ±5.5A PD 1.5W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Features 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Packaging specifications Embossed Tape Packing Reel size (mm) l Application Type Tape width (mm) Switching Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol VDSS ID*1 ID,pulse*2 VGSS Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Power dissipation total element PD*3 Tj Tstg Junction temperature Range of storage temperature 180 8 3000 TR J13 Value Unit -12 ±5.5 ±18 0～-8 1.5 1.25 150 -55 to +150 V A A V W ℃ ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20140806 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 QS8J13 　　　　　　　　 Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Thermal resistance Parameter Symbol total Thermal resistance, junction - ambient RthJA*3 element Values Min. Typ. Max. - 83.3 - - 100 - l Electrical characteristics (T a = 25°C) Parameter Symbol Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient Conditions V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Unit ℃/W 　　　 Values Unit Min. Typ. Max. -12 - - V - -5.0 - mV/℃ Zero gate voltage drain current IDSS VDS = -12V, VGS = 0V - - -10 μA Gate - Source leakage current IGSS VDS = 0V, VGS = -8V - - -10 μA Gate threshold voltage VGS(th) VDS = -6V, ID = -1mA -0.3 - -1.0 V - 2.7 - V/℃ VGS = -4.5V, ID = -5.5A - 15 22 VGS = -2.5V, ID = -2.7A - 19 28 VGS = -1.8V, ID = -2.7A - 24 38 VGS = -1.5V, ID = -1.1A - 29 58 8.5 - - Gate threshold voltage temperature coefficient 　ΔVGS(th) 　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Static drain - source on - state resistance Transconductance RDS(on)*4 gfs*4 VDS = -6V, ID = -5.5A mΩ S *1 Limited only by maximum temperature allowed. *2 Pw ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1% *3 Mounted on a ceramic board. *4 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20140806 - Rev.001 　　　　　　 QS8J13 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Input capacitance Ciss VGS = 0V - 6300 - Output capacitance Coss VDS = -6V - 750 - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - 750 - VDD ⋍ -6V,VGS = -4.5V - 13 - tr*4 ID = -2.7A - 100 - td(off)*4 RL = 2.2Ω - 400 - tf*4 RG = 10Ω - 200 - Turn - on delay time Rise time Turn - off delay time Fall time td(on)*4 pF ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Total gate charge Symbol Conditions Qg*4 Gate - Source charge Qgs*4 Gate - Drain charge Qgd*4 VDD ⋍ -6V, ID = -5.5A VGS = -4.5V Unit Min. Typ. Max. - 60 - - 10 - - 9 - nC l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Values Parameter Body diode continuous forward current Symbol Conditions IS*1 Unit Min. Typ. Max. - - -1 Ta = 25℃ Body diode pulse current ISP*2 Forward voltage VSD*4 VGS = 0V, IS = -5.5A A - - -18 - - -1.2 V 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20140806 - Rev.001 QS8J13 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　 　　　　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　 　　　　dissipation 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20140806 - Rev.001 QS8J13 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction 　Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20140806 - Rev.001 QS8J13 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction 　Temperature Fig.10 Tranceconductance 　vs. Drain Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20140806 - Rev.001 QS8J13 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature Fig.14 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(I) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20140806 - Rev.001 QS8J13 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(III) Fig.17 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(Ⅳ) Fig.18 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(Ⅴ) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20140806 - Rev.001 QS8J13 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.19 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.20 Switching Characteristics Fig.21 Dynamic Input Characteristics Fig.22 Source Current vs. Source Drain 　Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20140806 - Rev.001 QS8J13 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.1-2 Switching Waveforms Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20140806 - Rev.001 QS8J13 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/11 20140806 - Rev.001