QS8K21TR

QS8K21 　　45V Nch + Nch Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline 　 　 　 　 　 　 TSMT8 VDSS 45V RDS(on)(Max.) 53mΩ ID ±4A PD 1.5W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Features 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant l Packaging specifications Embossed Tape Packing l Application Switching Type Reel size (mm) 180 Tape width (mm) 8 Basic ordering unit (pcs) 3000 Taping code TR Marking K21 l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage total Power dissipation Symbol Value Unit VDSS 45 V ID ±4 A ID,pulse*1 ±12 A VGSS ±20 V PD*2 element total Junction temperature Range of storage temperature 1.5 1.25 W PD*3 0.7 Tj 150 ℃ Tstg -55 to +150 ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150730 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 QS8K21 　　　　　　　　 Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Thermal resistance Parameter Symbol total Thermal resistance, junction - ambient RthJA*2 element RthJA*3 total Values Min. Typ. Max. - - 83.3 - - 100 - - 178 l Electrical characteristics (T a = 25°C) Parameter Symbol Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient Conditions V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA ΔV(BR)DSS 　 ΔTj ID = 1mA 　 referenced to 25℃ Unit ℃/W 　　　 Values Unit Min. Typ. Max. 45 - - V - 46.8 - mV/℃ Zero gate voltage drain current IDSS VDS = 45V, VGS = 0V - - 1 μA Gate - Source leakage current IGSS VDS = 0V, VGS = ±20V - - ±10 μA Gate threshold voltage VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA 1.0 - 2.5 V - -3.9 - mV/℃ VGS = 10V, ID = 4A - 38 53 RDS(on)*4 VGS = 4.5V, ID = 4A - 48 67 VGS = 4V, ID = 4A - 53 75 RG f = 1MHz, open drain - 6 - Ω |Yfs| *4 VDS = 10V, ID = 4A 2 - - S Gate threshold voltage temperature coefficient ΔVGS(th) ID = 1mA 　 ΔTj Static drain - source on - state resistance Gate input resistance Forward Transfer Admittance 　 referenced to 25℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 　 mΩ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150730 - Rev.001 　　　　　　 QS8K21 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Conditions Unit Min. Typ. Max. Input capacitance Ciss VGS = 0V - 460 - Output capacitance Coss VDS = 10V - 110 - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - 55 - VDD ⋍ 25V,VGS = 10V - 9 - ID = 2A - 25 - td(off)*4 RL = 12.5Ω - 30 - tf*4 RG = 10Ω - 7 - Turn - on delay time td(on)*4 tr*4 Rise time Turn - off delay time Fall time pF ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Parameter Total gate charge Symbol VGS = 10V Qg*4 Gate - Source charge Qgs*4 Gate - Drain charge Qgd*4 Values Conditions VDD ⋍ 25V ID = 4A Unit Min. Typ. Max. - 10 - - 5.4 - - 2.0 - - 1.6 - nC VGS = 5V l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Parameter Body diode continuous forward current Symbol Values Conditions IS Unit Min. Typ. Max. - - 1 Ta = 25℃ Body diode pulse current ISP*1 Forward voltage VSD*4 VGS = 0V, IS = 4A A - - 12 - - 1.2 V *1 Pw≦10μs , Duty cycle≦1% *2 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm) *3 Mounted on a FR4 (20×20×0.8mm) *4 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20150730 - Rev.001 QS8K21 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　dissipation 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20150730 - Rev.001 QS8K21 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. 　　　　　Junction Temperature Fig.8 Typical Transfer Characteristics 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20150730 - Rev.001 QS8K21 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. 　　　　　Junction Temperature Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. 　　　　　Drain Current Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　　　Resistance vs. Gate Source Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20150730 - Rev.001 QS8K21 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.13 Static Drain - Source On - State 　　　Resistance vs. Junction Temperature Fig.14 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current (I) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20150730 - Rev.001 QS8K21 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.15 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current (II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current (IlI) Fig.17 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current (IV) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20150730 - Rev.001 QS8K21 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.18 Typical Capacitance vs. 　　　　　　Drain - Source Voltage Fig.19 Switching Characteristics Fig.20 Dynamic Input Characteristics Fig.21 Source Current vs. 　　　　　　Source Drain Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20150730 - Rev.001 QS8K21 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig. 1-1 SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT Fig. 1-2 SWITCHING WAVEFORMS Fig. 2-1 GATE CHARGE MEASUREMENT CIRCUIT Fig. 2-2 GATE CHARGE WAVEFORM 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. 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