R5007ANJTL

R5007ANJ 　　Nch 500V 7A Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline 　 　 　 　 　 　 LPT(S) VDSS 500V RDS(on)(Max.) 1.05Ω ID ±7A SC-83 PD 40W TO-263 e N co ew m m D es en ig de ns d f or 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed 　　to be ±30V. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant l Packaging specifications l Application Type Switching Power Supply Packing Embossed Tape Reel size (mm) Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking 330 24 1000 TL R5007ANJ R l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) ot Parameter Drain - Source voltage TC = 25°C TC = 100°C N Continuous drain current Symbol VDSS ID*1 ID*1 ID,pulse*2 VGSS EAS*3 EAR*4 IAR*3 PD Tj Tstg Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche energy, repetitive Avalanche current Power dissipation (Tc = 25°C) Junction temperature Range of storage temperature Reverse diode dv/dt dv/dt Value 500 ±7 ±3.4 ±28 ±30 3.5 2.8 3.5 40 150 -55 to +150 15 Unit V A A A V mJ mJ A W ℃ ℃ V/ns 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/13 20150730 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Absolute maximum ratings Symbol Drain - Source voltage slope Conditions Unit 50 V/ns VDS = 400V, ID = 7A dv/dt Tj = 125℃ 　 l Thermal resistance Parameter Values 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 or Parameter Values Symbol Unit Typ. Max. e N co ew m m D es en ig de ns d f Min. Thermal resistance, junction - case RthJC - - 3.13 ℃/W Thermal resistance, junction - ambient RthJA - - 80 ℃/W Soldering temperature, wavesoldering for 10s Tsold - - 265 ℃ l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Conditions Unit Min. Typ. Max. V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA 500 - - V Drain - Source avalanche breakdown voltage V(BR)DS VGS = 0V, ID = 3.5A - 580 - V VDS = 500V, VGS = 0V 　 　 　 Tj = 25°C - 0.1 100 Tj = 125°C - - 1000 IGSS VGS = ±30V, VDS = 0V - - ±100 nA VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA 2.5 - 4.5 V VGS = 10V, ID = 3.5A 　 　 　 Tj = 25°C - 0.8 1.05 Tj = 125°C - 1.66 - f = 1MHz, open drain - 7.3 - R Drain - Source breakdown voltage ot Zero gate voltage drain current Gate - Source leakage current N Gate threshold voltage Static drain - source on - state resistance Gate input resistance IDSS RDS(on)*6 RG 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/13 　 μA Ω Ω 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150730 - Rev.001 　 　 　 　　 　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Symbol Values Conditions Min. Typ. Max. 2.5 4.5 - 500 - gfs*6 VDS = 10V, ID = 3.5A Input capacitance Ciss VGS = 0V - Output capacitance Coss VDS = 25V - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - Effective output capacitance, energy related Co(er) Effective output capacitance, time related Co(tr) Turn - on delay time td(on)*6 Rise time - 23 - - VGS = 0V, VDS = 0V to 400V 22.4 S pF pF - 65.0 - VDD ⋍ 250V, VGS = 10V - 20 - ID = 3.5A - 22 - td(off)*6 RL ⋍ 71.4Ω - 50 100 tf*6 RG = 10Ω - 25 50 tr*6 Turn - off delay time Fall time 300 e N co ew m m D es en ig de ns d f Transconductance Unit or Parameter ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Conditions Min. Typ. Max. Qg*6 VDD ⋍ 250V - 13 - Gate - Source charge Qgs*6 ID = 7A - 3.5 - Gate - Drain charge Qgd*6 VGS = 10V - 5.5 - VDD ⋍ 250V, ID = 7A - 5.9 - R Total gate charge V(plateau) nC V ot Gate plateau voltage Unit *1 Limited only by maximum temperature allowed. N *2 Pw ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1% *3 L⋍500μH, VDD=50V, RG=25Ω, starting Tj=25°C *4 L⋍500μH, VDD=50V, RG=25Ω, starting Tj=25°C, f=10kHz *5 Reference measurement circuits Fig.5-1. *6 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/13 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Symbol Inverse diode continuous, forward current IS*1 Inverse diode direct current, pulsed ISM*2 Forward voltage VSD*6 Conditions Values Min. Typ. Max. - - 7 VGS = 0V, IS = 7A - 28 A - 1.5 V - 302 - ns - 2.02 - μC - 13 - A - 250 - A/μs - e N co ew m m D es en ig de ns d f trr*6 Reverse recovery charge Qrr*6 Peak reverse recovery current Irrm*6 Peak rate of fall of reverse recovery current dirr/dt IS = 7A di/dt = 100A/μs Tj = 25℃ l Typical transient thermal characteristics Rth1 Rth2 Unit 0.153 0.633 K/W 0.634 Symbol Value Cth1 0.00111 Cth2 0.00326 Cth3 0.157 　　　　　 Unit Ws/K N ot R Rth3 Value A TC = 25℃ Reverse recovery time Symbol Unit or Parameter 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.2 Maximum Safe Operating Area e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1 Power Dissipation Derating Curve N ot R Fig.3 Normalized Transient Thermal 　　　　 　　　　Resistance vs. Pulse Width 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Avalanche Power Losses e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.4 Avalanche Current vs. Inductive Load N ot R Fig.6 Avalanche Energy Derating Curve 　 　　　　　　　vs. Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Output Characteristics(II) e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.7 Typical Output Characteristics(I) Fig.10 Tj = 150°C Typical Output 　　　　　　 　　Characteristics (II) N ot R Fig.9 Tj = 150°C Typical Output 　　　　　　 　　Characteristics (I) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.12 Typical Transfer Characteristics e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.11 Breakdown Voltage vs. 　　　　　　　 　Junction Temperature Fig.14 Transconductance vs. Drain Current N ot R Fig.13 Gate Threshold Voltage vs. 　Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage N ot R Fig.17 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.19 Coss Stored Energy e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.18 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.21 Dynamic Input Characteristics N ot R Fig.20 Switching Characteristics 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.23 Reverse Recovery Time vs. 　Inverse Diode Forward Current N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.22 Inverse Diode Forward Current vs. 　Source - Drain Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-2 Switching Waveforms e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit Fig.3-2 Avalanche Waveform Fig.4-1 dv/dt Measurement Circuit Fig.4-2 dv/dt Waveform N ot R Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.5-1 di/dt Measurement Circuit Fig.5-2 di/dt Waveform 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 12/13 20150730 - Rev.001 　　　　　　 R5007ANJ 　　　　　　　　 Datasheet N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. 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