R6025ANZFL1C8

R6025ANZ 　　Nch 600V 25A Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline RDS(on)(Max.) 0.15Ω ID ±25A PD 150W 　 　 　 　 　 　 TO-3PF 　 　 　 or 600V 　 e N co ew m m D es en ig de ns d f VDSS 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant l Packaging specifications Packing l Application Type Switching Power Supply Reel size (mm) Tube - Tape width (mm) - Basic ordering unit (pcs) 360 Taping code C8 Marking R6025ANZ R l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol Value Unit VDSS 600 V TC = 25°C ID*1 ±25 A TC = 100°C ID*1 ±12.5 A ID,pulse*2 ±100 A Gate - Source voltage VGSS ±30 V Avalanche energy, single pulse EAS*3 39 mJ Avalanche energy, repetitive EAR*4 9.7 mJ Avalanche current Power dissipation (Tc = 25°C) IAR*3 12.5 A PD 150 W Tj 150 ℃ Range of storage temperature Tstg -55 to +150 ℃ Reverse diode dv/dt dv/dt 15 V/ns ot Drain - Source voltage Continuous drain current N Pulsed drain current Junction temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/13 20140205 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Absolute maximum ratings Symbol Drain - Source voltage slope Conditions Unit 50 V/ns VDS = 480V, ID = 25A dv/dt Tj = 125℃ 　 l Thermal resistance Parameter Values 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 or Parameter Values Symbol Unit Typ. Max. e N co ew m m D es en ig de ns d f Min. Thermal resistance, junction - case RthJC - - 0.83 ℃/W Thermal resistance, junction - ambient RthJA - - 40 ℃/W Soldering temperature, wavesoldering for 10s Tsold - - 265 ℃ l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Conditions Unit Min. Typ. Max. V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA 600 - - V Drain - Source avalanche breakdown voltage V(BR)DS VGS = 0V, ID = 12.5A - 700 - V VDS = 600V, VGS = 0V 　 　 　 Tj = 25°C - 0.1 100 Tj = 125°C - - 1000 IGSS VGS = ±30V, VDS = 0V - - ±100 nA VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA 2.5 - 4.5 V VGS = 10V, ID = 12.5A 　 　 　 Tj = 25°C - 0.12 0.15 Tj = 125°C - 0.24 - f = 1MHz, open drain - 2.2 - R Drain - Source breakdown voltage ot Zero gate voltage drain current Gate - Source leakage current N Gate threshold voltage Static drain - source on - state resistance Gate input resistance IDSS RDS(on)*6 RG 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/13 　 μA Ω Ω 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20140205 - Rev.001 　 　 　 　　 　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Symbol Values Conditions Min. Typ. Max. 14 20 - 3250 - gfs*6 VDS = 10V, ID = 12.5A Input capacitance Ciss VGS = 0V - Output capacitance Coss VDS = 10V - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - Effective output capacitance, energy related Co(er) Effective output capacitance, time related Co(tr) Turn - on delay time td(on)*6 Rise time Turn - off delay time Fall time 2400 - 85 - e N co ew m m D es en ig de ns d f Transconductance - VGS = 0V, VDS = 0V to 480V Unit S or Parameter 33.4 pF pF - 96.5 - VDD ⋍ 300V, VGS = 10V - 50 - tr*6 ID = 12.5A - 135 - td(off)*6 RL = 24Ω - 185 370 tf*6 RG = 10Ω - 110 220 ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Conditions Min. Typ. Max. Qg*6 VDD ⋍ 300V - 88 - Gate - Source charge Qgs*6 ID = 25A - 25 - Gate - Drain charge Qgd*6 VGS = 10V - 30 - VDD ⋍ 300V, ID = 25A - 5.9 - R Total gate charge V(plateau) nC V ot Gate plateau voltage Unit *1 Limited only by maximum temperature allowed. N *2 Pw ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1% *3 L ⋍ 500μH, V DD = 50V, RG = 25Ω, starting Tj = 25°C *4 L ⋍ 500μH, V DD = 50V, RG = 25Ω, starting Tj = 25°C, f = 10kHz *5 Reference measurement circuits Fig.5-1. *6 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/13 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Body diode electirical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Symbol Inverse diode continuous, forward current IS*1 Inverse diode direct current, pulsed ISM*2 Forward voltage VSD*6 Conditions Values Min. Typ. Max. - - 25 VGS = 0V, IS = 12.5A - 100 A - 1.5 V - 677 - ns - 15.3 - μC - 45.1 - A - 850 - A/μs - e N co ew m m D es en ig de ns d f trr*6 Reverse recovery charge Qrr*6 Peak reverse recovery current Irrm*6 Peak rate of fall of reverse recovery current dirr/dt IS = 25A di/dt = 100A/μs Tj = 25℃ l Typical transient thermal characteristics Rth1 Rth2 Unit 0.0564 0.391 K/W 1.26 Symbol Value Cth1 0.0077 Cth2 0.0779 Cth3 1.13 　　　　　 Unit Ws/K N ot R Rth3 Value A TC = 25℃ Reverse recovery time Symbol Unit or Parameter 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.2 Maximum Safe Operating Area e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1 Power Dissipation Derating Curve N ot R Fig.3 Normalized Transient Thermal 　　　　 　　　　Resistance vs. Pulse Width 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Avalanche Power Losses e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.4 Avalanche Current vs. Inductive Load N ot R Fig.6 Avalanche Energy Derating Curve 　 　　　　　　　vs. Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Output Characteristics(II) e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.7 Typical Output Characteristics(I) Fig.10 Tj = 150°C Typical Output 　　　　　　 　　Characteristics (II) N ot R Fig.9 Tj = 150°C Typical Output 　　　　　　 　　Characteristics (I) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.12 Typical Transfer Characteristics e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.11 Breakdown Voltage vs. 　　　　　　　 　Junction Temperature Fig.14 Transconductance vs. Drain Current N ot R Fig.13 Gate Threshold Voltage vs. 　Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage N ot R Fig.17 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.19 Coss Stored Energy e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.18 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.21 Dynamic Input Characteristics N ot R Fig.20 Switching Characteristics 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.23 Reverse Recovery Time vs. 　Inverse Diode Forward Current N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.22 Inverse Diode Forward Current vs. 　Source - Drain Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-2 Switching Waveforms e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit Fig.3-2 Avalanche Waveform Fig.4-1 dv/dt Measurement Circuit Fig.4-2 dv/dt Waveform N ot R Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.5-1 di/dt Measurement Circuit Fig.5-2 di/dt Waveform 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 12/13 20140205 - Rev.001 　　　　　　 R6025ANZ 　　　　　　　　 Datasheet N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 13/13 20140205 - Rev.001 N R e N co ew m m D es en ig de ns d f ot or