R6030KNZ1C9

R6030KNZ1 　　Nch 600V 30A Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline RDS(on)(Max.) 0.130Ω ID ±30A 　 or 600V TO-247 e N co ew m m D es en ig de ns d f VDSS PD 305W 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Features 1) Low on-resistance. 2) Ultra fast switching speed. 3) Parallel use is easy. 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant l Packaging specifications Packing l Application Reel size (mm) - Tape width (mm) - Basic ordering unit (pcs) 450 Taping code C9 Marking R Switching Type Tube R6030KNZ1 ot l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter N Drain - Source voltage Continuous drain current (Tc = 25°C) Pulsed drain current Gate - Source voltage static Symbol Value Unit VDSS 600 V ID*1 ±30 A IDP*2 ±90 A ±20 V ±30 V VGSS AC(f＞1Hz) Avalanche current, single pulse IAS 5.2 A Avalanche energy, single pulse Power dissipation (Tc = 25°C) EAS*3 636 mJ PD 305 W Tj 150 ℃ Tstg -55 to +150 ℃ Junction temperature Operating junction and storage temperature range 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/12 20150911 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 　 l Thermal resistance Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Values Parameter Symbol Unit Typ. Max. RthJC*4 - - 0.41 ℃/W Thermal resistance, junction - ambient RthJA - - 30 ℃/W Soldering temperature, wavesoldering for 10s Tsold - - 265 ℃ e N co ew m m D es en ig de ns d f Thermal resistance, junction - case or Min. l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Drain - Source breakdown voltage Zero gate voltage drain current Gate - Source leakage current Gate threshold voltage ot R Static drain - source on - state resistance Conditions Unit Min. Typ. Max. 600 - - VDS = 600V, VGS = 0V 　 　 　 Tj = 25°C - - 100 Tj = 125°C - - 1000 IGSS VGS = ±20V, VDS = 0V - - ±100 nA VGS(th) VDS = 10V, ID = 1mA 3 - 5 V VGS = 10V, ID = 14.5A 　 　 　 Tj = 25°C - 0.115 0.130 Tj = 125°C - 0.24 - f = 1MHz, open drain - 2.1 - V(BR)DSS IDSS RDS(on)*5 RG VGS = 0V, ID = 1mA V μA Ω Ω N Gate resistance Symbol 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/12 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150911 - Rev.001 　 　 　 　　 　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Symbol Values Conditions Typ. Max. 10 20 - Forward Transfer Admittance |Yfs| *5 Input capacitance Ciss VGS = 0V - Output capacitance Coss VDS = 25V - Turn - on delay time Turn - off delay time Fall time 2350 - 2000 - e N co ew m m D es en ig de ns d f Reverse transfer capacitance Rise time VDS = 10V, ID = 15A Unit Min. Crss f = 1MHz - 140 - VDD ⋍ 300V, VGS = 10V - 36 - tr*5 ID = 15A - 75 - td(off)*5 RL ⋍ 20Ω - 90 - tf*5 RG = 10Ω - 45 - td(on)*5 S or Parameter pF ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Conditions Unit Min. Typ. Max. Qg*5 VDD ⋍ 300V - 56 - Gate - Source charge Qgs*5 ID = 30A - 18 - Gate - Drain charge Qgd*5 VGS = 10V - 23 - Gate plateau voltage V(plateau) VDD ⋍ 300V, ID = 30A - 6.3 - nC V R Total gate charge ot *1 Limited only by maximum channel temperature allowed. *2 Pw ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1% N *3 L≒50mH, VDD=50V, RG=25Ω, STARTING Tj=25℃ *4 TC=25℃ *5 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/12 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Symbol Continuous forward current Values Conditions IS*1 Typ. Max. - - 30 TC = 25℃ ISP*2 Forward voltage VSD*5 VGS = 0V, IS = 30A Reverse recovery time trr Reverse recovery charge Qrr Peak reverse recovery current Irrm IS = 30A di/dt = 100A/μs 90 A - 1.5 V - 517 - ns - 9.6 - μC - 37 - A - l Typical transient thermal characteristics Symbol Rth1 Rth2 Unit 0.190 0.429 K/W 0.250 Symbol Value Cth1 0.0143 Cth2 0.322 Cth3 14.7 　　　　　 Unit Ws/K N ot R Rth3 Value A - e N co ew m m D es en ig de ns d f Pulse forward current Unit Min. or Parameter 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/12 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.2 Maximum Safe Operating Area e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1 Power Dissipation Derating Curve N ot R Fig.3 Avalanche Energy Derating 　　　　Curve vs. Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/12 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(II) N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.4 Typical Output Characteristics(I) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/12 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.7 Typical Transfer Characteristics e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.6 Breakdown Voltage vs. 　　　　　Junction Temperature Fig.9 Forward Transfer Admittance vs. 　　　　　Drain Current N ot R Fig.8 Gate Threshold Voltage vs. 　　　　　Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/12 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.11 Static Drain - Source On - State 　　　Resistance vs. Junction Temperature e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.10 Static Drain - Source On - State 　　　Resistance vs. Gate Source Voltage N ot R Fig.12 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current(l) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/12 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.13 Typical Capacitance vs. 　　　　　　Drain - Source Voltage Fig.15 Dynamic Input Characteristics N ot R Fig.14 Switching Characteristics 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/12 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.17 Reverse Recovery Time vs. 　　　　　Inverse Diode Forward Current N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.16 Inverse Diode Forward Current 　　　　　vs. Source - Drain Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/12 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-2 Switching Waveforms e N co ew m m D es en ig de ns d f or Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit Fig.3-2 Avalanche Waveform Fig.4-1 dv/dt Measurement Circuit Fig.4-2 dv/dt Waveform N ot R Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.5-1 dv/dt Measurement Circuit Fig.5-2 dv/dt Waveform 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/12 20150911 - Rev.001 　　　　　　 R6030KNZ1 　　　　　　　　 Datasheet N ot R e N co ew m m D es en ig de ns d f or l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 12/12 20150911 - Rev.001 N R e N co ew m m D es en ig de ns d f ot or