RB060MM-30TR

RB060MM-30TR

  • 厂商:

    ROHM(罗姆)

  • 封装:

    SMF(SOD-123FL)

  • 描述:

    整流二极管 VRRM=30V Io=2A VF=490mV SOD123FL

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RB060MM-30TR 数据手册
RB060MM-30 Schottky Barrier Diode Data sheet                                                   ● Outline VR 30 V Io 2 A IFSM 55 A                           ● Features ● Inner Circuit High reliability Small power mold type Low V F ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 180 Taping Width(mm) 8 Quantity(pcs) 3000 Taping Code TR Marking 85 General rectification ● Structure Silicon epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage V RM VR Duty≦0.5 Reverse direct voltage 30 30 V V Average rectified forward current Io Glass epoxy mounted、 60Hz half sin waveform、resistive load、 Tc=65℃ Max. 2 A Peak forward surge current IFSM 60Hz half sin waveform、Non-repetitive、 one cycle、Ta=25℃ 55 A Junction temperature(1) Storage temperature Tj Tstg - 150 -55 ~ 150 ℃ ℃ Note(1) To avoid occurrence of thermal runaway , actual board is to be designed to fulfill dPd/dTj
RB060MM-30TR
PDF文档中包含了以下信息:

物料型号:RB060MM-30 器件简介:该器件是一款金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有低导通电阻和快速开关特性。

引脚分配:G(栅极),D(漏极),S(源极) 参数特性:最大漏极电流(Id_max)为30A,最大栅源电压(Vgs_max)为30V,导通电阻(Rds(on))在Vgs=10V时为35毫欧姆。

功能详解:该MOSFET适用于需要高效率和低功耗的应用,如开关电源、电机控制等。

应用信息:适用于高效率电源转换、电机控制、负载开关等应用。

封装信息:采用TO-220封装,具有较好的散热性能。
RB060MM-30TR 价格&库存

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RB060MM-30TR
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  • 15000+0.9849515000+0.12640
  • 21000+0.9484121000+0.12171
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RB060MM-30TR
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  • 1200+1.00161

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