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物料型号:RB060MM-30
器件简介:该器件是一款金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有低导通电阻和快速开关特性。
引脚分配:G(栅极),D(漏极),S(源极)
参数特性:最大漏极电流(Id_max)为30A,最大栅源电压(Vgs_max)为30V,导通电阻(Rds(on))在Vgs=10V时为35毫欧姆。
功能详解:该MOSFET适用于需要高效率和低功耗的应用,如开关电源、电机控制等。
应用信息:适用于高效率电源转换、电机控制、负载开关等应用。
封装信息:采用TO-220封装,具有较好的散热性能。