RBQ30NS45AFHTL

厂商：
ROHM(罗姆)
封装：
TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB
描述：
二极管阵列 1 对共阴极 45 V 30A 表面贴装型 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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RBQ30NS45AFH Schottky Barrier Diode (AEC-Q101 qualified) Data sheet 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ● Outline VR 45 V Io 30 A IFSM 100 A 　　　　　　　　　　　　　　 ● Features ● Inner Circuit High reliability Power mold type Cathode common dual type Low IR ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 330 Taping Width(mm) 24 Quantity(pcs) 1000 Taping Code TL Marking BQ30NS45A Switching power supply ● Structure Silicon epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage V RM Duty≦0.5 45 V Reverse voltage VR Reverse direct voltage 45 V Average rectified forward current Io 60Hz half sin waveform，resistive load， Io/2 per diode，Tc=100℃Max. 30 A IFSM 60Hz half sin waveform， non-repetitive，per diode，Ta=25℃ 100 A Tj - 150 ℃ Tstg - -55 ～ 150 ℃ Peak forward surge current Junction temperature(1) Storage temperature Note(1) To avoid occurrence of thermal runaway ， actual board is to be designed to fulfill dPd/dTj

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RBQ30NS45AFHTL

物料型号：RBQ30NS45AFH

器件简介：这是ROHM公司生产的肖特基势垒二极管，具有高可靠性和低正向电压降（Low IR）的特点。

引脚分配：文档中提到了阳极（Anode）和阴极（Cathode）的分配，但未详细列出具体的引脚图。

参数特性： - 重复峰值反向电压（VRM）：在占空比≤0.5时为45V - 反向电压（VR）：45V - 平均整流正向电流（IF）：在60Hz半正弦波形、电阻性负载、每个二极管1/2周期、Tc=100°C时最大为30A - 峰值正向浪涌电流（IFSM）：在60Hz半正弦波形、非重复性、每个二极管、T=25°C时为100A - 结温（Tj）：最大150°C - 存储温度（Tstg）：-55°C至150°C

功能详解：该二极管适用于开关电源，具有硅外延平面结构，有助于提高效率和可靠性。

应用信息：适用于开关电源，具有高可靠性的功率模塑类型。

封装信息：封装代码为TO-263S，JEITA代码为SC-83，ROHM代码同样为TO-263S。

电气特性和热特性表格提供了详细的操作条件和参数，包括正向电压（VF）、反向电流（IR）、热阻（ReJC和RoJA）等。

特性曲线图显示了正向电压、反向电流、热阻等随不同条件变化的情况。

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