RBR2MM40ATFTR

厂商：
ROHM(罗姆)
封装：
SOD-123F
描述：

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RBR2MM40ATFTR 数据手册

RBR2MM40ATF Schottky Barrier Diode (AEC-Q101 qualified) Data sheet 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ● Outline VR 40 V Io 2 A IFSM 20 A 　　　　　　　　　　　　　　 ● Features ● Inner Circuit High reliability Small power mold type Low V F ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 180 Taping Width(mm) 8 Quantity(pcs) 3000 Taping Code TR Marking A7 General rectification ● Structure Silicon epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage V RM VR Duty≦0.5 Reverse direct voltage 40 40 V V Average rectified forward current Io Glass epoxy mounted、 60Hz half sin waveform、resistive load、 Tc=73℃ Max. 2 A Peak forward surge current IFSM 60Hz half sin waveform、Non-repetitive、 one cycle、Ta=25℃ 20 A Junction temperature(1) Storage temperature Tj Tstg - 150 -55 ～ 150 ℃ ℃ Note(1) To avoid occurrence of thermal runaway ， actual board is to be designed to fulfill dPd/dTj

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RBR2MM40ATFTR

物料型号: RBR2MM40ATF

器件简介: 这是一个肖特基势垒二极管，具有高可靠性、小功率封装和低正向电压降(VF)。

引脚分配: 1. 阳极(Anode) 2. 阴极(Cathode)

参数特性: - 重复峰值反向电压(VRM): 40V - 反向电压(VR): 40V - 平均整流前向电流(IF): 2A - 峰值前向浪涌电流(IFSM): 20A - 结温(Tj): 150°C - 存储温度(Tstg): -55~150°C

功能详解: 该二极管用于一般整流，具有硅外延平面结构，低正向电压降，适用于需要高效率和快速切换的应用。

应用信息: 适用于一般整流，具有高可靠性和小功率封装。

封装信息: SOD-123FL，JEITA Code为SC-109B，ROHM Code为PMDU。封装采用压模胶带，卷径180mm，胶带宽度8mm，每卷3000个，标记为A7。

注意: 与PN结二极管相比，肖特基势垒二极管通常具有较高的反向电流(Ir)，使用时需考虑反向损耗和环境温度，以避免热失控现象。

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