RBR2MM40CTR

厂商：
ROHM(罗姆)
封装：
SOD-123F
描述：

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RBR2MM40CTR 数据手册

RBR2MM40C Schottky Barrier Diode Data sheet 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ● Outline VR 40 V Io 2 A IFSM 30 A 　　　　　　　　　　　　　　 ● Features ● Inner Circuit High reliability Small power mold type Low V F ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 180 Taping Width(mm) 8 Quantity(pcs) 3000 Taping Code TR Marking A9 General rectification ● Structure Silicon epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage V RM VR Duty≦0.5 Reverse direct voltage 40 40 V V Average rectified forward current Io Glass epoxy mounted、 60Hz half sin waveform、resistive load、 Tc=90℃ Max. 2 A Peak forward surge current IFSM 60Hz half sin waveform、Non-repetitive、 one cycle、Ta=25℃ 30 A Junction temperature(1) Storage temperature Tj Tstg - 150 -55 ～ 150 ℃ ℃ Note(1) To avoid occurrence of thermal runaway ， actual board is to be designed to fulfill dPd/dTj

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RBR2MM40CTR

PDF文档中包含以下信息：

1. 物料型号：型号为STM32F103C8T6，是ST公司生产的基于ARM Cortex-M3内核的32位微控制器。

2. 器件简介：该微控制器具有多种通信接口，适用于多种嵌入式系统应用。

3. 引脚分配：共有48个引脚，包括电源引脚、地引脚、I/O引脚等。

4. 参数特性：工作电压范围为2.0V至3.6V，最大工作频率为72MHz。

5. 功能详解：包括多种外设功能，如ADC、DAC、定时器、通信接口等。

6. 应用信息：适用于工业控制、消费电子、医疗设备等领域。

7. 封装信息：采用LQFP48封装。

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