RBR2VWM30ATR

厂商：
ROHM(罗姆)
封装：
SMD2
描述：
二极管 30 V 2A 表面贴装型 PMDE

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RBR2VWM30ATR 数据手册

RBR2VWM30A Data sheet Schottky Barrier Diode 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ● Outline VR 30 V Io 2 A IFSM 30 A 　　　　　　　　　　　　　　　 ● Features ● Inner Circuit High reliability Small power mold type Low V F ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 180 Taping Width(mm) 8 Quantity(pcs) 3000 Taping Code TR Marking 23 General rectification ● Structure Silicon epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage V RM VR Duty≦0.5 Reverse direct voltage 30 30 V V Average rectified forward current Io Glass epoxy mounted、 60Hz half sin waveform、resistive load、 Tc=114℃ Max. 2 A Peak forward surge current IFSM 60Hz half sin waveform、Non-repetitive、 one cycle、Ta=25℃ 30 A Junction temperature(1) Storage temperature Tj Tstg - 150 -55 ～ 150 ℃ ℃ Note(1) To avoid occurrence of thermal runaway ， actual board is to be designed to fulfill dPd/dTj

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RBR2VWM30ATR

物料型号：RBR2VWM30A

器件简介：这是一个肖特基势垒二极管，具有高可靠性、小尺寸、低正向电压降（VF）的特点。

引脚分配：文档中提到了阳极和阴极的标记，但没有提供具体的引脚分配图。

参数特性： - 重复峰值反向电压（VRM）：30V - 反向电压（VR）：30V - 平均整流前向电流（IF）：2A - 峰值前向浪涌电流（IFSM）：30A - 结温（Tj）：最高150°C - 存储温度（Tstg）：-55°C 至 150°C

功能详解：文档中提到了该二极管的一般整流应用，并强调了其结构为硅外延平面型。

应用信息：适用于一般整流。

封装信息：封装代码为PMDE，卷带规格为180mm卷径，8mm胶带宽度，3000pcs数量，胶带代码为TR，标记为23。

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