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创作活动
RBR30NS30ATL

RBR30NS30ATL

  • 厂商:

    ROHM(罗姆)

  • 封装:

    TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

  • 描述:

    二极管阵列 1 对共阴极 30 V 15A 表面贴装型 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 数据手册
  • 价格&库存
RBR30NS30ATL 数据手册
RBR30NS30A Schottky Barrier Diode Data sheet                                                   ● Outline VR 30 V Io 30 A IFSM 100 A                           ● Features ● Inner Circuit High reliability Power mold type Cathode common dual type Low V F ● Application ● Packaging Specifications Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 330 Taping Width(mm) 24 Quantity(pcs) 1000 Taping Code TL Marking BR30NS30A Switching power supply ● Structure Silicon epitaxial planar ● Absolute Maximum Ratings (Tc=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage V RM Duty≦0.5 30 V Reverse voltage VR Reverse direct voltage 30 V Average rectified forward current Io 60Hz half sin waveform,resistive load, Io/2 per diode,Tc=110℃Max. 30 A IFSM 60Hz half sin waveform, non-repetitive,per diode,Ta=25℃ 100 A Tj - 150 ℃ Tstg - -55 ~ 150 ℃ Peak forward surge current Junction temperature(1) Storage temperature Note(1) To avoid occurrence of thermal runaway , actual board is to be designed to fulfill dPd/dTj
RBR30NS30ATL 价格&库存

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RBR30NS30ATL
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  • 1+15.519511+1.87866
  • 10+8.5329010+1.03292
  • 50+7.6828550+0.93002
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  • 2000+5.059832000+0.61250
  • 4000+3.845474000+0.46550

库存:1000