RF4C100BCTCR

RF4C100BC 　　Pch -20V -10A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline VDSS -20V RDS(on)(Max.) 15.6mΩ ID ±10A PD 2W 　 　 　 　 　 　 HUML2020L8 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HUML2020L8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. l Packaging specifications Packing l Application Type Switching Load switch Reel size (mm) Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking Embossed Tape 180 8 3000 TCR KH l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol VDSS ID ID,pulse*2 VGSS EAS*3 IAS*3 PD*4 Tj Tstg Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature Value Unit -20 ±10 ±36 ±8 15.2 -2.0 2 150 -55 to +150 V A A V mJ A W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150411 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 RF4C100BC 　　　　　　　　 Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Thermal resistance Parameter Symbol Values Min. Typ. Max. - - 62.5 RthJA*4 Thermal resistance, junction - ambient Unit ℃/W l Electrical characteristics (T a = 25°C) Parameter Symbol Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient Conditions V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA Values Unit Min. Typ. Max. -20 - - V - -10.3 - mV/℃ 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Zero gate voltage drain current IDSS VDS = -20V, VGS = 0V - - -1 μA Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±8V, VDS = 0V - - ±100 nA VGS(th) VDS = VGS, ID = -1mA -0.5 - -1.2 V - 1.7 - mV/℃ VGS = -4.5V, ID = -10A - 12.0 15.6 RDS(on)*5 VGS = -2.5V, ID = -10A - 15.4 20.0 VGS = -1.8V, ID = -2.5A - 23.5 37.6 RG f=1MHz, open drain - 4.2 - Ω |Yfs| *5 VDS = -5V, ID = -10A 12 - - S Gate threshold voltage Gate threshold voltage temperature coefficient 　ΔVGS(th) 　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Static drain - source on - state resistance Gate input resistance Forward Transfer Admittance mΩ *1 Vgs≧2.5V *2 Pw ≦ 10μs, Duty cycle ≦ 1% *3 Tr1: L ⋍ 5mH, V DD = -10V, RG = 25Ω, STARTING Tj = 25℃ Fig.3-1,3-2 *4 MOUNTED ON 40mm×40mm×0.8mm Cu BOARD *5 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Input capacitance Ciss VGS = 0V - 1660 - Output capacitance Coss VDS = -10V - 320 - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - 280 - VDD ⋍ -10V,VGS = -4.5V - 16 - tr*5 ID = -5.0A - 43 - td(off)*5 RL ⋍ 2.0Ω - 110 - tf*5 RG = 10Ω - 86 - Turn - on delay time Rise time Turn - off delay time Fall time td(on)*5 pF ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Total gate charge Qg*5 Gate - Source charge Qgs*5 Gate - Drain charge Qgd*5 Conditions VDD ⋍ -10V, ID = -10A, VGS = -4.5V Unit Min. Typ. Max. - 23.5 - - 2.6 - - 8.0 - nC l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Values Parameter Body diode continuous forward current Symbol Conditions IS Unit Min. Typ. Max. - - -1.67 A - - -36 A - - -1.2 V Ta = 25℃ Body diode pulse current ISP*2 Forward voltage VSD*5 VGS = 0V, IS = -1.67A 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　 　　　　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　 　　　　dissipation 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction 　Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction 　Temperature Fig.10 Transconductance vs. Drain Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.14 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(III) Fig.17 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(Ⅳ) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.18 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.19 Switching Characteristics Fig.20 Dynamic Input Characteristics Fig.21 Source Current vs. Source Drain 　Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.1-2 Switching Waveforms Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit Fig.3-2 Avalanche Waveform 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 l Notice This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design ESD protection circuit. 　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20150411 - Rev.001 RF4C100BC 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/11 20150411 - Rev.001