物料型号：RMW280N03
器件简介：这是一款4.5V驱动的N沟道MOSFET，具有高功率封装（PSOP8）、高速开关和低导通电阻的特点。
引脚分配：1-4脚为源极，5-8脚为漏极，其中1、2、3、4脚带有ESD保护二极管，5-8脚带有内部体二极管。
参数特性：
- 绝对最大额定值包括30V的漏源电压、±20V的栅源电压、最大连续漏电流28A、脉冲漏电流112A、最大功耗3.0W、最大结温150°C、存储温度范围-55至+150°C。
- 热阻为41.7°C/W，是在40mm×40mm铜板上测量得到的。
- 电气特性包括栅源漏电流、漏源击穿电压、零栅压漏电流、栅阈值电压、正向传输导纳、输入电容、输出电容、反向传输电容、导通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间、总栅电荷、栅源电荷、栅漏电荷等。
功能详解：文档提供了详细的电气特性曲线图，包括输出特性、转移特性、导通电阻与漏电流的关系、正向传输导纳与漏电流的关系、反向漏电流与源漏电压的关系、导通电阻与栅源电压的关系、开关特性、动态输入特性和典型电容与漏源电压的关系。
应用信息：适用于开关应用。
封装信息：PSOP8封装，基本订购单位为2500件。
