RQ1A070ZPTR

RQ1A070ZP 　　Pch -12V -7A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline VDSS -12V RDS(on)(Max.) 12mΩ ID ±7A PD 1.5W 　 　 　 　 　 　 TSMT8 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) Low voltage drive(1.5V). 3) High power package. l Packaging specifications Embossed Tape Packing l Application Type Switching Reel size (mm) Tape width (mm) 180 8 Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking 3000 TR YJ l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Symbol Value Unit VDSS ID -12 V ±7 ±28 ±10 1.5 0.7 150 -55 to +150 A A V W W ID,pulse*1 VGSS PD*2 PD*3 Tj Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature Tstg ℃ ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150730 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 RQ1A070ZP 　　　　　　　　 Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Thermal resistance Parameter Symbol Thermal resistance, junction - ambient Values Unit Min. Typ. Max. RthJA*2 - - 83.3 ℃/W RthJA*3 - - 178 ℃/W l Electrical characteristics (T a = 25°C) Parameter Symbol Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient Conditions V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Values Unit Min. Typ. Max. -12 - - V - -21.9 - mV/℃ Zero gate voltage drain current IDSS VDS = -12V, VGS = 0V - - -1 μA Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±10V, VDS = 0V - - ±10 μA VGS(th) VDS = -6V, ID = -1mA -0.3 - -1.0 V - 2.4 - mV/℃ VGS = -4.5V, ID = -7A - 8 12 VGS = -2.5V, ID = -3.5A - 11 16 VGS = -1.8V, ID = -3.5A - 15 23 VGS = -1.5V, ID = -1.4A - 19 38 12 - - Gate threshold voltage Gate threshold voltage temperature coefficient 　ΔVGS(th) 　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Static drain - source on - state resistance Forward Transfer Admittance RDS(on)*4 |Yfs| *4 VDS = -6V, ID = -7A mΩ S *1 Pw≦10μs, Duty cycle≦1% *2 Mounted on a ceramic board (30×30×0.8mm) *3 Mounted on a FR4(20×20×0.8mm) *4 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Input capacitance Ciss VGS = 0V - 7400 - Output capacitance Coss VDS = -6V - 800 - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - 750 - VDD ⋍ -6V,VGS = -4.5V - 35 - tr*4 ID = -3.5A - 95 - td(off)*4 RL ⋍ 1.7Ω - 310 - tf*4 RG = 10Ω - 190 - Turn - on delay time Rise time Turn - off delay time Fall time td(on)*4 pF ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Total gate charge Qg*4 Gate - Source charge Qgs*4 Gate - Drain charge Qgd*4 Conditions VDD ⋍ -6V, ID = -7A, VGS = -4.5V Unit Min. Typ. Max. - 58 - - 11 - - 10 - nC l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Values Parameter Body diode continuous forward current Symbol Conditions IS Unit Min. Typ. Max. - - -1 A - - -28 A - - -1.2 V Ta = 25℃ Body diode pulse current ISP*1 Forward voltage VSD*4 VGS = 0V, IS = -7A 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　dissipation 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. 　　　　　Junction Temperature Fig.8 Typical Transfer Characteristics 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. 　　　　　Junction Temperature Fig.10 Forward Transfer Admittance vs. 　　　　　Drain Current Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　　　Resistance vs. Gate Source Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.13 Static Drain - Source On - State 　　　Resistance vs. Junction Temperature Fig.14 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current (I) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.15 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current (II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current (lII) Fig.17 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current (IV) Fig.18 Static Drain - Source On - State 　　　　　Resistance vs. Drain Current(V) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.19 Typical Capacitance vs. 　　　　　　Drain - Source Voltage Fig.20 Switching Characteristics Fig.21 Dynamic Input Characteristics Fig.22 Source Current vs. 　　　　　　Source Drain Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig. 1-1 SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT Fig. 1-2 SWITCHING WAVEFORMS Fig. 2-1 GATE CHARGE MEASUREMENT CIRCUIT Fig. 2-2 GATE CHARGE WAVEFORM 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 l Notice This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design ESD protection circuit. 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20150730 - Rev.001 RQ1A070ZP 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/11 20150730 - Rev.001