RQ1E050RP

4V Drive Pch MOSFET RQ1E050RP  Structure Silicon P-channel MOSFET  Dimensions (Unit : mm) TSMT8 (8) (7) (6) (5) Features 1) Low On-resistance. 2) High power package. 3) 4V drive. (1) (2) (3) (4) Abbreviated symbol :UD  Application Switching  Inner circuit (8) (7) (6) (5)  Packaging specifications Type RQ1E050RP Package Code Basic ordering unit (pieces) Taping TR 3000 ○ ∗2 (1) Source (2) Source (3) Source (4) Gate (5) Drain (6) Drain (7) Drain (8) Drain ∗1 (1) (2) (3) (4) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE  Absolute maximum ratings (Ta = 25C) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Drain current Source current (Body Diode) Power dissipation Channel temperature Range of storage temperature *1 Pw10s, Duty cycle1% Continuous Pulsed Continuous Pulsed Symbol VDSS VGSS *1 ID IDP IS ISP PD Tch Tstg *1 *2 Limits 30 20 5 20 1 20 1.5 150 55 ~ +150 Unit V V A A A A W C C  Thermal resistance Parameter Channel to Ambient *Mounted on a ceramic board. Symbol Rth * (ch-a) Limits 83.3 Unit C / W www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/5 2010.07 - Rev.A RQ1E050RP  Electrical characteristics (Ta = 25C) Parameter Gate-source leakage Zero gate voltage drain current Gate threshold voltage Static drain-source on-state resistance Forward transfer admittance Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance Turn-on delay time Rise time Turn-off delay time Fall time Total gate charge Gate-source charge Gate-drain charge *Pulsed 　 Symbol IGSS IDSS VGS (th) * RDS (on) l Yfs l * Ciss Coss Crss td(on) * tr * td(off) * tf * Qg * Qgs * Qgd * Min. 30 1.0 3.1 Typ. 22 32 36 1300 180 160 10 15 90 50 13 3.5 4.5 Max. 10 1 2.5 31 45 50 S pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC Unit A V A V Conditions VGS=20V, VDS=0V ID=1mA, V GS=0V VDS=30V, VGS=0V VDS=10V, ID=1mA ID=5A, VGS=10V m  ID=2.5A, VGS=4.5V ID=2.5A, VGS=4.0V ID=5A, VDS=10V VDS=10V VGS=0V f=1MHz ID=2.5A, VDD 15V VGS=10V RL 6.0  RG=10 ID=5A, VDD 15V VGS=5V RL 3  RG=10 Data Sheet Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25C) Parameter Forward Voltage *Pulsed Symbol VSD * Min. - Typ. - Max. 1.2 Unit V Conditions Is=5A, VGS=0V www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/5 2010.07- Rev.A RQ1E050RP  Electrical characteristic curves Data Sheet 5 4 3 2 1 0 0 0.2 VGS= -3.0V DRAIN CURRENT : -ID[A] Ta=25°C Pulsed VGS= -10V 5 VGS= -3.0V 4 VGS= -2.8V 3 2 1 VGS= -2.5V 0 VGS= -10V VGS= -4.5V VGS= -4.0V Ta=25°C Pulsed 10 VDS= -10V Pulsed Ta= 125°C Ta= 75°C Ta= 25°C Ta= - 25°C DRAIN CURRENT : -ID[A] DRAIN CURRENT : -ID[A] 1 0.1 VGS= -2.8V VGS= -4.5V VGS= -4.0V VGS= -2.5V 0.01 0.001 0 2 4 6 8 10 0 1 2 3 0.4 0.6 0.8 1 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] Fig.1 Typical Output Characteristics( Ⅰ) DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] Fig.2 Typical Output Characteristics( Ⅱ) GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V] Fig.3 Typical Transfer Characteristics STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[m Ω] 100 VGS= -4.0V VGS= -4.5V VGS= -10V 100 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta= -25°C STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[m Ω] Ta=25°C Pulsed STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[m Ω] 1000 1000 VGS= -10V Pulsed 1000 VGS= -4.5V Pulsed 100 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta= -25°C 10 10 10 1 0.1 1 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.4 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current( Ⅰ) 10 1 0.1 1 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current( Ⅱ) 10 1 0.1 1 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current( Ⅲ) 10 FORWARD TRANSFER ADMITTANCE : |Yfs| [S] STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(on)[m Ω] VGS= -4.0V Pulsed 100 SOURCE CURRENT : -Is [A] 1000 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta= -25°C 10 VDS= -10V Pulsed 10 VGS=0V Pulsed 1 1 Ta= -25°C Ta=25°C Ta=75°C Ta=125°C 0.1 0.01 10 0.1 Ta=125°C Ta=75°C Ta=25°C Ta=-25°C 1 0.1 1 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.7 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current( Ⅳ) 10 0.01 0.1 1 10 0 0.5 1 1.5 DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.8 Forward Transfer Admittance vs. Drain Current SOURCE-DRAIN VOLTAGE : -VSD [V] Fig.9 Reverse Drain Current vs. Sourse-Drain Voltage www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/5 2010.07 - Rev.A RQ1E050RP Data Sheet STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE RESISTANCE : RDS(ON)[m Ω] 200 SWITCHING TIME : t [ns] 180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 5 10 15 ID= -2.5A ID= -5.0A Ta=25°C Pulsed 10000 tf td(off) 100 td(on) 10 tr 1 0.01 0.1 1 GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS [V] 1000 Ta=25°C VDD= -15V VGS= -10V RG=10Ω Pulsed 10 8 6 4 2 0 0 4 8 12 16 Ta=25°C VDD= -15V ID= -5.0A RG=10Ω Pulsed 20 24 28 10 GATE-SOURCE VOLTAGE : -VGS[V] Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate Source Voltage DRAIN-CURRENT : -ID[A] Fig.11 Switching Characteristics TOTAL GATE CHARGE : Qg [nC] Fig.12 Dynamic Input Characteristics 10000 CAPACITANCE : C [pF] Ciss 1000 Crss 100 Coss Ta=25°C f=1MHz VGS=0V 1 10 100 10 0.01 0.1 DRAIN-SOURCE VOLTAGE : -VDS[V] Fig.13 Typical Capacitance vs. Drain-Source Voltage www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/5 2010.07 - Rev.A RQ1E050RP  Measurement circuits 　 Pulse Width Data Sheet ID VGS RL D.U.T. RG VDD VDS VGS 10% 50% 10% 90% 50% 10% 90% VDS 90% td(on) ton tr td(off) toff tf Fig.1-1 Switching time measurement circuit Fig.1-2 Switching Waveforms VG ID VGS RL IG(Const.) RG D.U.T. VDD VDS Qg VGS Qgs Qgd Charge Fig.2-1 Gate charge measurement circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform www.rohm.com ©2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/5 2010.07- Rev.A Notice ご注意 本資料の一部または全部をロームの許可なく、 転載・複写することを堅くお断りします。 本資料の記載内容は改良などのため予告なく変更することがあります。 本資料に記載されている内容は製品のご紹介資料です。 ご使用にあたりましては、 別途仕様書を必ず ご請求のうえ、 ご確認ください。 本資料に記載されております応用回路例やその定数などの情報につきましては、 本製品の標準的な 動作や使い方を説明するものです。 したがいまして、 量産設計をされる場合には、 外部諸条件を考慮 していただきますようお願いいたします。 本資料に記載されております情報は、 正確を期すため慎重に作成したものですが、 万が一、 当該情報の 誤り ・誤植に起因する損害がお客様に生じた場合においても、 ロームはその責任を負うものではありません。 本資料に記載されております技術情報は、 製品の代表的動作および応用回路例などを示したものであり、 ロームまたは他社の知的財産権その他のあらゆる権利について明示的にも黙示的にも、 その実施または 利用を許諾するものではありません。上記技術情報の使用に起因して紛争が発生した場合、 ロームは その責任を負うものではありません。 本資料に掲載されております製品は、 一般的な電子機器（AV機器、 OA機器、 通信機器、 家電製品、 アミューズメント機器など） への使用を意図しています。 本資料に掲載されております製品は、 「耐放射線設計」 はなされておりません。 ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、 種々の要因で故障することもあり得ます。 ローム製品が 故障した際、 その影 響により人 身事故、火 災 損害 等が起こらないようご使 用機 器での ディレーティング、 冗長設計、 延焼防止、 フェイルセーフ等の安全確保をお願いします。定格を超えた ご使用や使用上の注意書が守られていない場合、 いかなる責任もロームは負うものではありません。 極めて高度な信頼性が要求され、 その製品の故障や誤動作が直接人命を脅かしあるいは人体に危害を 及ぼすおそれのある機器・装置・システム （医療機器、 輸送機器、 航空宇宙機、 原子力制御、 燃料制御、 各種安全装置など） へのご使用を意図して設計・製造されたものではありません。 上記特定用途に使用 された場合、 いかなる責任もロームは負うものではありません。 上記特定用途への使用を検討される際 は、 事前にローム営業窓口までご相談願います。 本資料に記載されております製品および技術のうち 「外国為替及び外国貿易法」 に該当する製品または 技術を輸出する場合、 または国外に提供する場合には、 同法に基づく許可が必要です。 ローム製品のご検討ありがとうございます 。 より詳しい資料やカタログなどご用 意しておりますので、 お問合せください。 ROHM Customer Support System http://www.rohm.co.jp/contact/ www.rohm.com © 2010 ROHM Co., Ltd. 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