RQ3E180AJTB

厂商：
ROHM(罗姆)
封装：
PowerVDFN8
描述：
特性：低导通电阻。小尺寸表面贴装封装。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。应用：开关

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RQ3E180AJTB 数据手册

RQ3E180AJ 　　Nch 30V 18A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline VDSS 30V RDS(on)(Max.) 4.5mΩ ID ±30A PD 2W 　　　　　　 HSMT8 　　　　　　　　　　　　　　　 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package. 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant l Packaging specifications Packing l Application Type Switching Reel size (mm) Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking Embossed Tape 330 12 3000 TB E180AJ l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol VDSS ID*4 ID ID,pulse*1 VGSS EAS*2 IAS*2 PD*3 PD*4 Tj Tstg Drain - Source voltage Continuous drain current Tc = 25°C Ta = 25°C Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature Value Unit 30 ±30 ±18 ±72 ±12 24.6 18 2 30 150 -55 to +150 V A A A V mJ A W W ℃ ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150730 - Rev.002 　　　　　　　　 RQ3E180AJ 　　　　　　　　 Datasheet 　　　　　　　　　　　　　　　　　　 l Thermal resistance Parameter Symbol Values Min. Typ. Max. Unit Thermal resistance, junction - ambient RthJA*3 - 62.5 - ℃/W Thermal resistance, junction - case RthJC*4 - 4.17 - ℃/W l Electrical characteristics (T a = 25°C) Parameter Symbol Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient Conditions V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA 　ΔV(BR)DSS　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　　 referenced to 25℃ Values Unit Min. Typ. Max. 30 - - V - 18 - mV/℃ Zero gate voltage drain current IDSS VDS = 24V, VGS = 0V - - 1 μA Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±12V, VDS = 0V - - ±100 nA VGS(th) VDS = VGS, ID = 11mA 0.5 - 1.5 V - -2.0 - mV/℃ VGS = 4.5V, ID = 18A - 3.5 4.5 VGS = 2.5V, ID = 18A - 4.5 5.8 24 - - Gate threshold voltage Gate threshold voltage temperature coefficient 　ΔVGS(th) 　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　　 referenced to 25℃ Static drain - source on - state resistance Forward Transfer Admittance RDS(on)*5 |Yfs| *5 VDS = 5V, ID = 18A mΩ S *1 Pw ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1% *2 L ⋍ 100uH, V DD = 15V, RG = 25Ω, STARTING Tch = 25℃ Fig.3-1,3-2 *3 Mounted on a ceramic boad (30×30×0.8mm) *4 Tc=25℃ *5 Pulsed 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Input capacitance Ciss VGS = 0V - 4290 - Output capacitance Coss VDS = 15V - 490 - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - 320 - VDD ⋍ 15V,VGS = 4.5V - 28 - ID = 9A - 22 - td(off)*5 RL ⋍ 1.67Ω - 150 - tf*5 RG = 10Ω - 160 - Turn - on delay time td(on)*5 tr*5 Rise time Turn - off delay time Fall time pF ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Total gate charge Qg*5 Gate - Source charge Qgs*5 Gate - Drain charge Qgd*5 Conditions VDD ⋍ 15V, ID = 18A, VGS = 4.5V Unit Min. Typ. Max. - 39 - - 10 - - 10 - nC l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Body diode continuous forward current IS*1 Body diode pulse current ISP*2 Forward voltage VSD*5 Conditions Unit Min. Typ. Max. - - 1.67 A - - 72 A - - 1.2 V Ta = 25℃ VGS = 0V, IS = 1.67A 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　　　　　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　　　　　dissipation 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction 　Temperature 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction 　Temperature Fig.10 Transconductance vs. Drain Current 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.14 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(III) 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.18 Switching Characteristics Fig.19 Dynamic Input Characteristics Fig.20 Source Current vs. Source Drain 　Voltage 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.1-2 Switching Waveforms Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform Fig.3-1 AVALANCHE MEASUREMENT CIRCUIT Fig.3-2 AVALANCHE WAVEFORM 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 l Notice This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design ESD protection circuit. 　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20150730 - Rev.002 RQ3E180AJ 　　　　　　　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/11 20150730 - Rev.002

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RQ3E180AJTB

物料型号：RQ3E180AJ

器件简介： - 低导通电阻 - 小型表面贴装封装 - 无铅引脚镀层，符合RoHS标准

引脚分配： - 1, 3, 4: 源极(S) - 2, 5, 6, 7, 8: 漏极(D) - 4: 栅极(G) - 内建体二极管

参数特性： - 最大导通电阻(Ros(on))为4.5mΩ - 最大功耗(PD)为2W - 绝对最大额定值包括30V的漏源电压(VDSS)和+18A的连续漏源电流(ID)

功能详解： - 适用于开关应用 - 封装规格为HSMT8，包括卷带包装信息

应用信息： - 主要用于开关应用

封装信息： - 封装类型为HSMT8，具体尺寸和引脚位置信息在文档中有详细描述

热阻抗： - 给出了结至环境的热阻抗(RthJA)和结至外壳的热阻抗(RthJC)

电气特性(Ta = 25°C)： - 包括漏源击穿电压、栅源漏电流、栅阈值电压等

电气特性曲线： - 提供了功率耗散、最大安全工作区域、瞬态热阻抗等图表