RQ5E025ATTCL

RQ5E025AT 　　Pch -30V -2.5A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline VDSS -30V RDS(on)(Max.) 91mΩ ID ±2.5A PD 1W 　 　 　 　 　 　 TSMT3 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant l Packaging specifications Packing l Application Type Switching Reel size (mm) Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking Embossed Tape 180 8 3000 TCL JS l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol VDSS ID ID,pulse*2 VGSS EAS*3 IAS*3 PD*4 Tj Tstg Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature Value Unit -30 ±2.5 ±12 ±20 4.5 -2.5 1 150 -55 to +150 V A A V mJ A W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20141208 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 RQ5E025AT 　　　　　　　　 Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Thermal resistance Parameter Symbol RthJA*4 Thermal resistance, junction - ambient Values Min. Typ. Max. - 125 - Unit ℃/W l Electrical characteristics (T a = 25°C) Parameter Symbol Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient Conditions V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Values Unit Min. Typ. Max. -30 - - V - -22 - mV/℃ Zero gate voltage drain current IDSS VDS = -30V, VGS = 0V - - -1 μA Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±20V, VDS = 0V - - ±100 nA VGS(th) VDS = VGS, ID = -1mA -1.0 - -2.5 V - 2.9 - mV/℃ VGS = -10V, ID = -2.5A - 70 91 VGS = -4.5V, ID = -2.5A - 104 135 2.1 - - Gate threshold voltage Gate threshold voltage temperature coefficient 　ΔVGS(th) 　 ID = -1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Static drain - source on - state resistance Transconductance RDS(on)*5 gfs*5 VDS = -5V, ID = -2.5A mΩ S *1 Limited only by maximum temperature allowed. *2 Pw ≤ 10μs, Duty cycle ≤ 1% *3 L ⋍ 1mH, V DD = -15V, RG = 25Ω, STARTING Tch = 25℃ Fig.3-1,3-2 *4 Mounted on a ceramic boad (30×30×0.8mm) *5 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Values Conditions Min. Typ. Max. Input capacitance Ciss VGS = 0V - 220 - Output capacitance Coss VDS = -15V - 45 - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - 35 - VDD ⋍ -15V,VGS = -10V - 6.5 - ID = -1.25A - 8.5 - td(off)*5 RL = 12Ω - 22 - tf*5 RG = 10Ω - 5.5 - Turn - on delay time td(on)*5 tr*5 Rise time Turn - off delay time Fall time Unit pF ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Total gate charge Qg*5 Gate - Source charge Qgs*5 Gate - Drain charge Qgd*5 Values Conditions VGS = -10V VDD ⋍ -15V ID = -2.5A VGS = -4.5V Min. Typ. Max. - 5.4 - - 2.7 - - 0.8 - - 1.0 - Unit nC l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Parameter Symbol Body diode continuous forward current IS*1 Body diode pulse current Forward voltage ISP*2 Min. Typ. Max. - - -0.8 Ta = 25℃ VSD*5 3/11 Unit A VGS = 0V, IS = -0.8A 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Values Conditions 　 - - -12 - - -1.2 V 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　 　　　　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　 　　　　dissipation 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction 　Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction 　Temperature Fig.10 Transconductance vs. Drain Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.14 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(III) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.18 Switching Characteristics Fig.19 Dynamic Input Characteristics Fig.20 Source Current vs. Source Drain 　Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.1-2 Switching Waveforms Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit Fig.3-2 Avalanche Waveform 　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20141208 - Rev.001 RQ5E025AT 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2014 ROHM Co., Ltd. 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