RQ5E040AJTCL

RQ5E040AJ 　　Nch 30V 4A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet l Outline VDSS 30V RDS(on)(Max.) 37mΩ ID ±4.0A PD 1W 　 　 　 　 　 　 TSMT3 　 　 (SC-96) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (TSMT3). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. l Packaging specifications Packing l Application Type Switching Reel size (mm) Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking Embossed Tape 180 8 3000 TCL FK l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol VDSS ID ID,pulse*1 VGSS EAS*2 IAS*2 PD*3 Tj Tstg Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature Value Unit 30 ±4.0 ±16 ±12 1.2 4.0 1 150 -55 to +150 V A A V mJ A W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150316 - Rev.001 　 　 　 　 　 　　 　 RQ5E040AJ 　　　　　　　　 Datasheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 l Thermal resistance Parameter Symbol RthJA*3 Thermal resistance, junction - ambient Values Min. Typ. Max. - - 125 Unit ℃/W l Electrical characteristics (T a = 25°C) Parameter Symbol Drain - Source breakdown voltage Breakdown voltage temperature coefficient Conditions V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA 　ΔV(BR)DSS　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Values Unit Min. Typ. Max. 30 - - V - 18 - mV/℃ Zero gate voltage drain current IDSS VDS = 30V, VGS = 0V - - 1 μA Gate - Source leakage current IGSS VGS = ±12V, VDS = 0V - - ±100 nA VGS(th) VDS = VGS, ID = 1mA 0.5 - 1.5 V - -2.0 - mV/℃ VGS = 4.5V, ID = 4.0A - 27 37 VGS = 2.5V, ID = 4.0A - 39 54 Gate threshold voltage Gate threshold voltage temperature coefficient 　ΔVGS(th) 　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　 　 referenced to 25℃ Static drain - source on - state resistance RDS(on)*4 Gate input resistance RG f=1MHz, open drain - 2.5 - Ω |Yfs| *4 VDS = 5V, ID = 4A 4.2 - - S Forward Transfer Admittance mΩ *1 Pw≦10μs , Duty cycle≦1% *2 L ⋍ 0.1mH, V DD = 15V, RG = 25Ω, STARTING Tch = 25℃ Fig.3-1,3-2 *3 Mounted on a ceramic boad (30×30×0.8mm) *4 Pulsed 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/11 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Input capacitance Ciss VGS = 0V - 480 - Output capacitance Coss VDS = 15V - 55 - Reverse transfer capacitance Crss f = 1MHz - 40 - VDD ⋍ 15V,VGS = 4.5V - 8.8 - tr*4 ID = 2.0A - 5.9 - td(off)*4 RL ⋍ 7.5Ω - 26 - tf*4 RG = 10Ω - 5.7 - Turn - on delay time Rise time Turn - off delay time Fall time td(on)*4 pF ns l Gate charge characteristics (Ta = 25°C) Values Parameter Symbol Total gate charge Qg*4 Gate - Source charge Qgs*4 Gate - Drain charge Qgd*4 Conditions VDD ⋍ 15V, ID = 4.0A, VGS = 4.5V Unit Min. Typ. Max. - 4.3 - - 1.1 - - 1.1 - nC l Body diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C) Values Parameter Body diode continuous forward current Symbol Conditions IS Unit Min. Typ. Max. - - 0.8 A - - 16 A - - 1.2 V Ta = 25℃ Body diode pulse current ISP*1 Forward voltage VSD*4 VGS = 0V, IS = 0.8A 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/11 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.1 Power Dissipation Derating Curve Fig.2 Maximum Safe Operating Area Fig.3 Normalized Transient Thermal 　 　　　　　　　Resistance vs. Pulse Width Fig.4 Single Pulse Maximum Power 　　　　 　　　　dissipation 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/11 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.5 Typical Output Characteristics(I) Fig.6 Typical Output Characteristics(II) Fig.7 Breakdown Voltage vs. Junction 　Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/11 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.8 Typical Transfer Characteristics Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction 　Temperature Fig.10 Tranceconductance 　vs. Drain Current 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/11 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.11 Drain Current Derating Curve Fig.12 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Gate Source Voltage Fig.13 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Junction Temperature 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/11 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.14 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(I) Fig.15 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(II) Fig.16 Static Drain - Source On - State 　Resistance vs. Drain Current(III) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/11 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Electrical characteristic curves Fig.17 Typical Capacitance vs. Drain 　Source Voltage Fig.18 Switching Characteristics Fig.19 Dynamic Input Characteristics Fig.20 Source Current vs. Source Drain 　Voltage 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/11 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Measurement circuits Fig.1-1 Switching Time Measurement Circuit Fig.1-2 Switching Waveforms Fig.2-1 Gate Charge Measurement Circuit Fig.2-2 Gate Charge Waveform Fig.3-1 Avalanche Measurement Circuit Fig.3-2 Avalanche Waveform 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 l Notice This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment. Please consider to design ESD protection circuit. 　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 10/11 20150316 - Rev.001 RQ5E040AJ 　　　　　　 　　　　　　　　 Datasheet l Dimensions 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 11/11 20150316 - Rev.001