物料型号：RT1A060AP
器件简介：
- 该器件是一款-12V、6A的中等功率MOSFET，适用于开关应用。
引脚分配：
- 引脚1：漏极(Drain)
- 引脚2：漏极(Drain)
- 引脚3：漏极(Drain)
- 引脚4：栅极(Gate)
- 引脚5：漏极(Drain)
- 引脚6：漏极(Drain)
- 引脚7：漏极(Drain)
- 引脚8：漏极(Drain)
参数特性：
- 漏极-源极电压(Vds)：-12V
- 连续漏极电流(Id)：+6A
- 脉冲漏极电流(Id_pulse)：±18A
- 栅极-源极电压(Vgs)：0~-8V
- 功耗(Pd)：1.25W（Po2），0.6W（Po3）
- 结温(Tj)：150°C
- 存储温度范围(Ts)：-55至+150°C
功能详解：
1. 低导通电阻。
2. -1.5V驱动电压。
3. 内置栅极-源极保护二极管。
4. 小型表面安装封装(TSST8)。
5. 无铅引线镀层；符合RoHS标准。
应用信息：
- 适用于开关应用。
封装信息：
- 封装类型：TSST8
- 封装尺寸：具体尺寸参数以数据手册中的表格为准。
