1. 物料型号:
- 型号名称:RTL035N03
- 描述:2.5V驱动N沟道MOSFET
2. 器件简介:
- 结构:硅N沟道MOSFET
- 特点:
1. 低导通电阻
2. 节省空间,小型表面贴装封装(TUMT6)
3. 低电压驱动(2.5V驱动)
3. 引脚分配:
- 封装类型:TUMT6
- 基本订购单位:3000件
4. 参数特性:
- 绝对最大额定值(Ta=25°C):
- 漏源电压:30V
- 栅源电压:12V
- 漏极电流(连续):+3.5A
- 源极电流(体二极管):连续0.8A,脉冲±14A
- 总功率耗散:1.0W
- 通道温度:150°C
- 存储温度范围:-55至+150°C
- 热阻:
- 通道至环境:125°C/W
5. 功能详解:
- 电气特性(Ta=25°C):
- 栅源漏电流:10μA(Vos=12V, Vps=0V)
- 漏源击穿电压:30V(lo=1mA,VGs=0V)
- 零栅压漏极电流:1μA(Vos=30V, VGs=0V)
- 栅阈值电压:0.5至1.5V(Vos=10V, lo=1mA)
- 静态漏源导通电阻:40至79mΩ(lo=3.5A, Vas=2.5V至4.5V)
- 正向转移导纳:3S(Vos=10V, Io=3.5A)
- 输入电容:350pF(Vos=10V)
- 输出电容:90pF(VGs=0V)
- 反向转移电容:55pF(f=1MHz)
- 导通延迟时间:9ns(Vop=15V)
- 上升时间:25ns(lo=1.75A)
- 关闭延迟时间:32ns(VGs=4.5V, RL=8.6Ω)
- 下降时间:20ns(RG=10Ω)
- 总栅电荷:4.6至6.4nC(Vop=15V, Vas=4.5V)
- 栅源电荷:0.8nC(Ip=3.5A)
- 栅漏电荷:1.5nC(RL=4.3Ω, RG=10Ω)
6. 应用信息:
- 应用:开关应用
7. 封装信息:
- 封装类型:TUMT6
- 胶带包装:TR
- 基本订购单位:3000件