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STZ6.2N_11

STZ6.2N_11

  • 厂商:

    ROHM(罗姆)

  • 封装:

  • 描述:

    STZ6.2N_11 - Zener diode - Rohm

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
STZ6.2N_11 数据手册
Data Sheet Zener diode STZ6.2N Applications Voltage regulation (Anode common twin type) Dimensions (Unit : mm) Land size figure (Unit : mm) 1.9 2.8±0.2 Features 1) Small mold type. (SMD3) 2) High reliability. (3) 1.6-0.1 +0.2 1.0MIN. 0.15-0.06 +0.1 0.95 0.8MIN. 0~0.1 0.3~0.6 (2) (1) 0.95 1.9± 0.2 0.8± 0.1 0.2 1.1± 0.2 1.1 0.1 0.01 SMD3 Construction Silicon epitaxial planar 0.95 Structure ROHM : SMD3 JEDEC :S0T-346 JEITA : SC-59 week code Taping specifications(Unit : mm) 4.0±0.1 2.0±0.05 φ1.5±0.1       0 1.75±0.1 0.3±0.1 3.5±0.05 8.0±0.2 3.2±0.1 3.2±0.1 4.0±0.1 φ1.05MIN 0~0.5 5.5±0.2 3.2±0.1 1.35±0.1 Absolute maximum ratings(Ta=25°C) Parameter Symbol Power dissipation (*1) P Junction temperature Tj Storage temperature Tstg (*1) Total of 2 elements Limits 200 150 55 to 150 Unit mW °C °C Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol VZ Zener voltage Reverse current Operating resistance Rising operating resistance IR ZZ ZZk Min. 5.81 - Typ. - Max. 6.40 1.00 60 100 Unit V μA Ω Ω IZ=5mA VR=3.0V IZ=5mA IZ=0.5mA Conditions www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/2 2011.03 - Rev.B 2.4 2.9±0.2 各リー ドと も +0.1 Each lead has same dimension 同 寸法 0.4  -0.05 STZ6.2N Data Sheet 10 Ta=25℃ 1 Ta=75℃ Ta=-25℃ Ta=125℃ 0.1 Ta=150℃ 0.01 1000 Ta=150℃ Ta=125℃ 100 f=1MHz REVERSE CURRENT:IR (nA) 100 10 1 Ta=25℃ 0.1 0.01 0.001 Ta=-25℃ Ta=75℃ CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS:Ct(pF) 3 ZENER CURRENT:Iz(mA) 10 0.001 5 5.5 6 6.5 ZENER VOLTAGE:Vz(V) Vz-Iz CHARACTERISTICS 7 0.0001 0 0.5 1 1.5 2 2.5 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-IR CHARACTERISTICS 1 0 1 2 3 REVERSE VOLTAGE:VR(V) VR-Ct CHARACTERISTICS 6.5 1 30 CAPACITANCE BETWEENTERMINALS:Ct(pF) ZENER VOLTAGE:Vz(V) 6.4 6.3 6.2 6.1 6 REVERSE CURRENT:IR(nA) Ta=25℃ IZ=5mA n=30pcs 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 AVE:0.138nA Ta=25℃ VR=3.0V n=30pcs 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 Ct DISRESION MAP AVE:21.59pF Ta=25℃ f=1MHz VR=0V n=10pcs AVE:6.245V Vz DISRESION MAP IR DISRESION MAP 100 1000 TRANSIENT THAERMAL IMPEDANCE:Rth (℃/W) Rth(j-a) DYNAMIC IMPEDANCE:Zz(Ω) 100 Rth(j-c) Mounted on epoxy board 10 10 IM=10mA IF=100mA 1ms time 300us 1 0.1 1 ZENER CURRENT(mA) Zz-Iz CHARACTERISTICS 10 1 0.001 0.01 0.1 1 10 100 TIME:t(s) Rth-t CHARACTERISTICS 1000 www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/2 2011.03 - Rev.B Notice Notes Thank you for your accessing to ROHM product informations. More detail product informations and catalogs are available, please contact us. ROHM Customer Support System http://www.rohm.com/contact/ www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. R1120A
STZ6.2N_11
1. 物料型号:STZ6.2N

2. 器件简介: - 这是一种Zener二极管,用于电压调节。 - 特点包括小型封装(SMD3)、高可靠性。 - 采用硅外延平面结构。

3. 引脚分配: - JEDEC标准:S0T-346 - ROHM标准:SMD3 - JEITA标准:SC-59

4. 参数特性: - 功率耗散:200mW(两个元件的总和) - 结温:150°C - 存储温度:-55至+150°C

5. 功能详解: - Zener电压:5.81V至6.40V(在1mA电流下) - 反向电流:在3.0V反向电压下,最大1.00A - 操作电阻:在5mA电流下,最大60Ω - 起始操作电阻:在0.5mA电流下,最大100Ω

6. 应用信息: - 该Zener二极管适用于一般用途的电子设备或器件,如视听设备、办公自动化设备、通信设备、电子电器和娱乐设备等。 - 不适用于辐射耐受性要求的场合。 - 产品不设计用于可能直接威胁人类生命或造成人身伤害风险的设备、装置或系统中。

7. 封装信息: - 封装类型包括SMD3,具体尺寸和土地大小图在文档中有详细描述。
STZ6.2N_11 价格&库存

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